[发明专利]泄漏电流测量电路、集成电路及其系统

说明书

本发明提供一种泄漏电流测量电路、集成电路及其系统。所述泄漏电流测量电路包括泄漏产生电路及检测电路。所述泄漏产生电路从起始时间点产生泄漏电流，并基于所述泄漏电流产生泄漏电压信号，所述泄漏电压信号具有从初始电压发生变化的电压电平。所述检测电路产生具有激活时间的检测信号，所述检测信号是从起始时间点到检测时间点产生，且所述检测时间点对应于泄漏电压信号的电压电平达到目标电压时。

[相关申请案的交叉参考]

本申请主张在2017年6月7日在韩国知识产权局(Korean Intellectual PropertyOffice，KIPO)提出申请的韩国专利申请第10-2017-0070590号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

与示例性实施例一致的方法及装置大体涉及半导体集成电路，且更具体来说涉及一种泄漏电流测量电路、集成电路及包括所述泄漏电流测量电路的系统。

背景技术

随着半导体器件越来越集成化，由半导体器件中的泄漏电流引起的功耗增加，且关于泄漏电流的信息变得很重要。一般来说，片上系统(system on chip，SoC)包括具有各种阈值电压的晶体管以实现高速操作。这些晶体管的泄漏电流依据阈值电压变化且具有大的偏差。电源管理方案(例如动态电压及频率调整(dynamic voltage and frequencyscaling，DVFS))是片上系统中不可缺少的，且为进行高效的电源管理，需要得到关于准确的泄漏电流的信息。举例来说，可基于因泄漏电流引起的电路操作的延迟或利用对泄漏电流的放大来测量泄漏电流。然而，这些方法可能因用于测量泄漏电流的测试时间及测试电路面积过多而不适用于片上系统。

发明内容

一个或多个示例性实施例提供一种能够高效地测量半导体元件的泄漏电流的泄漏电流测量电路。

一个或多个示例性实施例提供一种包括能够高效地测量半导体元件的泄漏电流的泄漏电流测量电路的集成电路及系统。

根据示例性实施例的方面，提供一种泄漏电流测量电路，所述泄漏电流测量电路包括：泄漏产生电路，被配置成从起始时间点产生泄漏电流，并基于所述泄漏电流产生泄漏电压信号，所述泄漏电压信号具有从初始电压发生变化的电压电平；以及检测电路，被配置成产生具有激活时间的检测信号，所述检测信号是从所述起始时间点到检测时间点产生，且所述检测时间点对应于所述泄漏电压信号的所述电压电平达到目标电压时。

根据另一示例性实施例的方面，提供一种系统，所述系统包括：半导体硅片，包括多个半导体管芯及泄漏电流测量电路，所述泄漏电流测量电路形成在对所述多个半导体管芯进行分离的划线通道处；以及测试器件，被配置成测试所述半导体硅片。所述泄漏电流测量电路包括：泄漏产生电路，被配置成从起始时间点产生泄漏电流，并基于所述泄漏电流产生泄漏电压信号，所述泄漏电压信号具有从初始电压发生变化的电压电平；以及检测电路，被配置成产生具有激活时间的检测信号，所述检测信号是从所述起始时间点到检测时间点产生，且所述检测时间点对应于所述泄漏电压信号的所述电压电平达到目标电压时。

根据又一示例性实施例的方面，提供一种形成在半导体管芯中的集成电路，所述集成电路包括：泄漏电流测量电路，被配置成测量所述半导体管芯的泄漏电流；以及监测电路，被配置成基于所述泄漏电流测量电路的输出来监测所述集成电路的操作。所述泄漏电流测量电路包括：泄漏产生电路，被配置成从起始时间点产生泄漏电流，并基于所述泄漏电流产生泄漏电压信号，所述泄漏电压信号具有从初始电压发生变化的电压电平；以及检测电路，被配置成产生具有激活时间的检测信号，所述检测信号是从所述起始时间点到检测时间点产生，且所述检测时间点对应于所述泄漏电压信号的所述电压电平达到目标电压时。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，将更清楚地理解各示例性实施例。

图1是示出根据一个或多个示例性实施例的泄漏电流测量电路的方块图。