[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，其包括：

电子组件，其具有顶部表面；

导电凸块，其安置在所述电子组件的所述顶部表面上，所述导电凸块包括主体和突出部分；以及

第一导电层，其覆盖所述突出部分的一部分，所述第一导电层具有第一上表面和第二上表面，其中所述第一上表面和所述第二上表面不共面；

第一绝缘层，其覆盖所述第一导电层，其中所述第一绝缘层的顶部表面基本上与所述第一导电层的所述第二上表面平行；以及

第二绝缘层，其安置在所述第一绝缘层与所述第一导电层之间，其中所述第二绝缘层的顶部表面的至少一部分相对于所述电子组件的所述顶部表面倾斜、限定峰部且具有相对于所述电子组件的所述顶部表面的第一非零梯度，并且其中所述第二绝缘层的所述顶部表面的所述峰部位于所述导电凸块的所述突出部分上方。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层进一步包括多条迹线，并且所述多条迹线中的至少两条迹线在所述导电凸块上方延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中所述导电凸块的所述突出部分限定由所述第一导电层所覆盖的峰部，并且所述多条迹线中的至少一条迹线安置在所述导电凸块的所述突出部分的所述峰部上方。

4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括安置在所述第一绝缘层上的第二导电层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括安置在所述第二绝缘层与所述第一导电层之间的第三绝缘层，其中所述第三绝缘层的顶部表面的至少一部分相对于所述电子组件的所述顶部表面倾斜且具有相对于所述电子组件的所述顶部表面的第二非零梯度，并且其中所述第二非零梯度大于所述第一非零梯度。

6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层与所述导电凸块直接地接触。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括囊封所述电子组件和所述导电凸块的封装主体，其中所述导电凸块的所述突出部分的所述部分从所述封装主体中暴露。

8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括：

密封层，其囊封所述导电凸块的一部分且暴露所述导电凸块的所述突出部分的所述部分；以及

封装主体，其囊封所述电子组件和所述密封层。

9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括安置在所述第一导电层与所述导电凸块的所述突出部分之间的晶种层。

10.一种半导体封装装置，其包括：

电子组件，其具有顶部表面；

导电凸块，其安置在所述电子组件的所述顶部表面上，所述导电凸块包括主体和突出部分；以及

第一导电层，其覆盖所述突出部分的一部分，其中所述第一导电层包括与所述导电凸块的所述突出部分的所述部分共形的第一部分；

其中所述第一导电层进一步包括多条迹线，并且所述多条迹线的至少两条迹线在所述导电凸块上方延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层的所述第一部分的顶部表面的至少一部分相对于所述电子组件的所述顶部表面以非零角度倾斜。

12.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层进一步包括基本上与所述电子组件的所述顶部表面平行的第二部分。

13.根据权利要求12所述的半导体封装装置，其中所述第一导电层的所述第一部分与所述电子组件之间的距离大于所述第一导电层的所述第二部分与所述电子组件之间的距离。