[发明专利]一种太阳能电池硅片槽式清洗方法在审
| 申请号： | 201810537928.1 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108766869A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王永伟;朱杰;卫春燕;王猛;陈亮;张维;陈林 | 申请（专利权）人： | 苏州日弈新电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 耿丹丹 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池硅片 双氧水 混合液 槽式清洗 单晶 去除 盐酸 晶硅太阳能电池 光电转换效率 太阳能电池片 氨水 烘干处理 金属离子 脱水处理 氢氟酸 清洗液 受限制 再使用 多晶 提拉 配制 清洗 残留 节约 保证 | ||
1.一种太阳能电池硅片槽式清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)使用氨水、双氧水和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；
(2)将步骤(1)处理后的太阳能电池硅片进行水洗，然后使用盐酸、双氧水和水的混合液或者盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；
(3)如果步骤(2)使用盐酸、双氧水和水的混合液，则将步骤(2)处理后的太阳能电池硅片进行水洗，然后使用氢氟酸和水的混合液对太阳能电池硅片进一步处理；如果步骤(2)使用盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液，则直接进行步骤(4)；
(4)将步骤(3)的太阳能电池硅片进行水洗，然后进行慢提拉脱水处理；
(5)将步骤(4)处理后的太阳能电池硅片进行烘干处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述太阳能电池硅片的晶型为单晶、多晶或类单晶。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，氨水浓度为0.05-10％，双氧水浓度为0.05-10％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，并联进行若干次氨水、双氧水和水混合液处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，盐酸浓度为1-10％，双氧水浓度为1-10％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，氢氟酸浓度为2-15％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，并联进行若干次盐酸、双氧水和水混合液处理或并联进行若干次盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液处理。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，氢氟酸浓度为2-15％。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中并联进行若干次慢提拉处理。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中并联进行若干次烘干处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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