[发明专利]一种太阳能电池硅片槽式清洗方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池硅片槽式清洗方法，属于晶硅太阳能电池技术领域。本发明的方法先采用氨水、双氧水和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；再使用盐酸、双氧水和水的混合液或者盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；然后进行慢提拉脱水处理；最后烘干处理得到太阳能电池硅片。本发明的技术方案适用于单晶、多晶和类单晶，基体选择不受限制，并且本发明的清洗液配制方便，节约成本。采用本发明的清洗去除方法，可以彻底去除这些残留的金属离子或者其它杂质，从而保证了太阳能电池片的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池硅片槽式清洗方法，属于晶硅太阳能电池技术领域。

背景技术

目前在晶硅太阳能电池领域，比较常见的三种晶硅基体电池是多晶、单晶、类单晶，常规单晶一般采取碱制绒的方式，形成金字塔状结构，黑硅制绒主要针对多晶或者类单晶进行绒面制备。目前无论是单晶或者黑硅制绒，都是采用双面制绒方式，即：承载盒的每个卡槽插一片硅片，这就限制了产能的提升。实际上，单晶或者黑硅制绒，都是只需要硅片的一面吸收光能，起到陷光效应，从而增加光电转化效率，而硅片的另一面则不需要制作绒面形成陷光效应，如果保留这一面的切割损伤层，反而能起到损伤层吸杂的作用，从而提升光电转换效率。

基于以上事实，单面制绒应运而生，即：承载盒的每个卡槽插两片硅片，这样在制绒的过程中，两片硅片的外侧面就会形成陷光效应的绒面结构，而内侧面因为两片硅片贴在一起，保留了切割损伤层。实现了一面制作起陷光效应的绒面结构、另一面保留了起损伤层吸杂作用的切割损伤层，从而提升了太阳能电池的光电转换效率。

但是即使使用单面制绒技术，由于分子运动原理，两片硅片之间难以避免有金属离子或者其它杂质进入，这些金属离子或者其它杂质如果没有进一步清洗去除，会在太阳能电池中形成严重的复合中心，从而降低光电转换效率。

目前主要采用链式水平清洗方法，由于这种清洗方法，硅片和设备滚轮存在接触，金属离子和其它杂质容易残留在滚轮上面，不易彻底清洗，导致光电转换效率偏低。

发明内容

为解决这些问题，本发明的目的是提供一种太阳能电池硅片槽式清洗方法，这种方法能彻底去除这些残留的金属离子或者其他杂质，从而保证了太阳能电池片的光电转换效率。

本发明的第一个目的是提供一种太阳能电池硅片槽式清洗方法，包括如下步骤：

(1)使用氨水、双氧水和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；

(2)将步骤(1)处理后的太阳能电池硅片进行水洗，然后使用盐酸、双氧水和水的混合液或者盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；

(3)如果步骤(2)使用盐酸、双氧水和水的混合液，则将步骤(2)处理后的太阳能电池硅片进行水洗，然后使用氢氟酸和水的混合液对太阳能电池硅片进一步处理；如果步骤(2)使用盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液，则直接进行步骤(4)；

(4)将步骤(3)的太阳能电池硅片进行水洗，然后进行慢提拉脱水处理；

(5)将步骤(4)处理后的太阳能电池硅片进行烘干处理。

在本发明的一种实施方式中，所述太阳能电池硅片的晶型为单晶、多晶或类单晶。

在本发明的一种实施方式中，在步骤(1)中，氨水浓度为0.05-10％，双氧水浓度为0.05-10％。

在本发明的一种实施方式中，在步骤(1)中，并联进行若干次氨水、双氧水和水混合液处理。

在本发明的一种实施方式中，在步骤(2)中，盐酸浓度为1-10％，双氧水浓度为1-10％。

在本发明的一种实施方式中，在步骤(2)中，并联进行若干次盐酸、双氧水和水混合液处理。