[发明专利]具有穿硅过孔的嵌入式桥接器

说明书

一种装置，包括：衬底，具有与第二侧相对的第一侧，并且包括设置在封装衬底的第一侧上的第一导电层以及设置在封装衬底的第一侧和第二侧之间的第二导电层，所述衬底具有设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的电介质材料；以及设置在所述衬底内的至少一个桥接管芯，所述至少一个桥接管芯具有与第二侧相对的第一侧，并且包括从所述至少一个桥接管芯的第一侧延伸到第二侧的多个过孔，其中，设置在衬底的第一侧和第二侧之间的第二导电层耦合到从所述至少一个桥接管芯的第一侧延伸到所述至少一个桥接管芯的第二侧的多个过孔。

背景技术

在现代处理器封装架构中，触点间距缩小以适应更窄和更拥挤的迹线布线，来引导器件内部和器件之间越来越快的信号。例如，在单个封装中包含高带宽外部存储器以及微处理器和逻辑集成电路(IC)需要存储器和微处理器IC之间高密度的互连能力。传统IC封装衬底架构通常具有宽的互连和布线间距，因此不支持利用低于100微米互连间距的高密度互连。传统IC封装衬底架构可能还需要使用桥接管芯以在低密度封装衬底互连与高密度IC互连架构之间提供接口。

附图说明

根据以下给出的具体说明以及本公开内容的各种实施例的附图，将更全面地理解本公开内容的实施例，然而，不应将其视为将本公开内容限制于特定实施例，而是仅供解释和理解。

图1A示出了根据本公开内容的一些实施例的具有互连两个管芯表面上的接合焊盘的过孔的桥接管芯的横截面图。

图1B示出了根据本公开内容的一些实施例的示出设置在一个管芯表面上的接合焊盘的图1A中所示的桥接管芯的平面图。

图1C示出了根据本公开内容的一些实施例的示出一个管芯表面上的水平互连接合焊盘的图1A中所示的桥接管芯的平面图。

图2A-2I示出了根据本公开内容的一些实施例的随着执行示例性制造方法的选定操作的图1A-1C中所示的桥接管芯架构的演变的一系列横截面图。

图3示出了根据本公开内容的一些实施例的桥接管芯的横截面图。

图4A-4D示出了根据本公开内容的一些实施例的随着执行示例性制造方法的选定操作的图3中所示的桥接管芯架构的演变的一系列横截面图。

图5示出了根据一些实施例的桥接管芯的横截面图。

图6A-6I示出了根据一些实施例的随着执行示例性制造方法的选定操作的图5中所示的桥接管芯架构的演变的一系列横截面图。

图7示出了根据一些实施例的桥接管芯的横截面图。

图8A-8C示出了根据一些实施例的随着执行示例性制造方法的选定操作的图7中所示的桥接管芯架构的演变的一系列横截面图。

图9A示出了根据本公开内容的一些实施例的结合具有嵌入在封装衬底内的过孔的桥接管芯的封装衬底的横截面图。

图9B示出了根据本公开内容的一些实施例的示出由具有TSV的嵌入式桥接管芯使能的低密度和高密度接合焊盘的图9A中所示的封装衬底的平面图。

图10A-I示出了根据一些实施例的随着执行示例性制造方法的选定操作的具有嵌入式桥接管芯的封装衬底的构建的一系列横截面图。

图11示出了根据本公开内容的一些实施例的具有带有穿硅过孔(TSV)的嵌入式桥接管芯的和两个外部IC管芯的IC封装的横截面图，所述两个外部IC管芯接合到IC封装的一个表面上的低密度和高密度接合焊盘。

图12示出了根据本公开内容的一些实施例的具有连接多个管芯的嵌入式桥接管芯的封装，作为在计算设备的实施方式中的片上系统(SoC)封装的一部分。

具体实施方式