[发明专利]一种超声波传感器及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201810541399.2 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108955736B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 刘利宾;杨倩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G01D5/48 | 分类号: | G01D5/48 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超声波传感器 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种超声波传感器,其特征在于,包括:基底和至少一个设置在所述基底上的传感器组件;所述传感器组件包括:第一电极、第二电极和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的压电层;
其中,所述基底靠近所述传感器组件的一侧设置有凹槽,所述压电层在所述基底上的正投影与所述凹槽在基底的区域存在重叠部分;
所述第一电极设置在所述压电层靠近所述基底的一侧;所述第一电极沿第一方向的宽度大于所述凹槽沿第一方向的宽度,所述第一电极沿第二方向的宽度小于所述凹槽沿第二方向的宽度;或者,所述第一电极沿第一方向的宽度小于所述凹槽沿第一方向的宽度,所述第一电极沿第二方向的宽度大于所述凹槽沿第二方向的宽度。
2.根据权利要求1所述的超声波传感器,其特征在于,其中,所述第一方向与第一电极、压电层和第二电极的重叠方向垂直,所述第二方向与所述第一方向垂直。
3.根据权利要求2所述的超声波传感器,其特征在于,所述压电层在基底上的正投影与所述第一电极在基底上的正投影重合。
4.根据权利要求2所述的超声波传感器,其特征在于,所述凹槽在基底上的区域覆盖所述压电层在基底上的正投影。
5.根据权利要求4所述的超声波传感器,其特征在于,多个传感器组件共用一第一电极,和/或共用一第二电极;
所述超声波传感器还包括:设置在所述压电层远离基底一侧的平坦层;
其中,所述第二电极通过平坦层过孔与压电层连接。
6.根据权利要求2所述的超声波传感器,其特征在于,所述凹槽的深度为3~10微米,所述凹槽沿第一方向的宽度为20~50微米,所述凹槽沿第二方向的宽度为20~50微米。
7.一种超声波传感器的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基底;
在基底上形成凹槽;
在所述基底形成凹槽的一侧形成传感器组件;其中,所述传感器组件包括:第一电极、第二电极和设置在所述第一电极和所述第二电极之间的压电层;所述压电层在所述基底上的正投影与所述凹槽在所述基底的区域存在重叠部分;所述第一电极设置在所述压电层靠近所述基底的一侧;所述第一电极沿第一方向的宽度大于所述凹槽沿第一方向的宽度,所述第一电极沿第二方向的宽度小于所述凹槽沿第二方向的宽度;或者,所述第一电极沿第一方向的宽度小于所述凹槽沿第一方向的宽度,所述第一电极沿第二方向的宽度大于所述凹槽沿第二方向的宽度。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在基底上形成凹槽的一侧形成传感器组件包括:
利用填充材料填充所述基底上形成的凹槽;
在基底上形成第一电极;
通过刻蚀工艺刻蚀所述填充材料;
在所述第一电极上形成压电层;
在所述压电层上形成第二电极。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在压电层上形成第二电极包括:
在压电层上形成平坦层;
在平坦层上形成第二电极,其中,所述第二电极通过平坦层过孔与所述压电层连接。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~6任一项所述的超声波传感器。
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