[发明专利]一种高电源抑制比快速响应LDO有效
| 申请号： | 201810543856.1 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108733118B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;林家城;杨培祥 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电源 抑制 快速 响应 ldo | ||
1.一种高电源抑制比快速响应LDO，其特征在于，包括误差放大器，电阻R1、R2，MOS管Mp、M1、M2、M3，电容C1、CL，所述误差放大器的第一输入端连接至基准电压源，误差放大器的第二输入端与R1的一端、R2的一端连接，误差放大器的负载管端与R1的另一端、M2的第一端、Mp的第二端、CL的一端相连接，并作为整个LDO电路的输出端，误差放大器的输出端与C1的一端、M2的控制端连接，M1的第一端与Mp的第一端相连接至VDD，M1的第二端与M1的控制端、Mp的控制端、M3的第二端连接，M2的第二端与C1的另一端、M3的第一端相连接并经一电流源与R2的另一端相连接至GND，M3的控制端连接作为偏置电压输入端，CL的另一端连接至GND；Mp在LDO电路中为功率管；所述误差放大器包括第一至第五MOS管，第一MOS管的第一端、第二MOS管的第一端相连接作为误差放大器的负载管端，第一MOS管的第二端、第一MOS管的控制端、第二MOS管的控制端相连接至第三MOS管的第二端，第二MOS管的第二端与第四MOS管的第二端连接作为误差放大器的输出端，第三MOS管的控制端作为误差放大器的第一输入端，第三MOS管的第一端与第四MOS管的第一端相连接至第五MOS管的第二端，第四MOS管的控制端作为误差放大器的第二输入端，第五MOS管的第一端连接至GND，第五MOS管的控制端作为偏置电流输入端。
2.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比快速响应LDO，其特征在于，M1、M2构成负反馈网络。
3.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比快速响应LDO，其特征在于，R1、R2构成反馈网络。
4.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比快速响应LDO，其特征在于，还包括一用于提供偏置电压、偏置电流的偏置电路。
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