[发明专利]一种高电源抑制比快速响应LDO

说明书

本发明涉及一种高电源抑制比快速响应LDO。包括误差放大器，电阻R1、R2，MOS管Mp、M1、M2、M3，电容C1、CL，误差放大器的第一输入端连接至基准电压源，误差放大器的第二输入端与R1的一端、R2的一端连接，误差放大器的负载管端与R1的另一端、M2的第一端、Mp的第二端、CL的一端相连接，并作为LDO电路的输出端，误差放大器的输出端与C1的一端、M2的控制端连接，M1的第一端与Mp的第一端相连接至VDD，M1的第二端与M1的控制端、Mp的控制端、M3的第二端连接，M2的第二端与C1的另一端、M3的第一端相连接并经一电流源与R2的另一端相连接至GND，M3的控制端连接作为偏置电压输入端，CL的另一端连接至GND。本发明具有高电源抑制比、快速响应且功耗低。

技术领域

本发明应用于应用于增量型的Sigma-delta调制器中，具体涉及一种高电源抑制比快速响应LDO。

背景技术

随着信息技术的高速发展，新一代便携式通信设备能在更短的时间内、更窄的带宽上以及更小的功耗下来传递更多的信息。这就对其连接自然世界与数字处理芯片之间的模数/数模转换电路提出了更高的要求。不仅需要它们工作在更高的频率，还需要有更高的信噪比。电源上的杂波作为噪声的一种，影响着数模/模数转换器的性能。在电源管理芯片中，常在DC-DC转换器后面连接低压差线性稳压器（LDO），通过LDO调节纹波从而提供干净电压源给噪声敏感的模拟/ RF块。而无电容型LDO由于输出端大电容的去除，使得系统在高频段的电源抑制比相比传统结构来的更差，因此如何提高无电容型的电源抑制比成为LDO研究的另一个研究热点。

传统LDO的电源抑制比（PSRR）不够高，而提高电源抑制比的方法主要有：在电源电压后接入RC滤波器，减小电源电压的纹波、增加LDO的级数来提高系统的增益、或者级联两个LDO来提高电源抑制比。接入RC滤波器会导致LDO压降的增加，同时电阻和电容将会占用较大的芯片面积，增加成本，不适用于片上系统；增加LDO的级数来提高增益，可以有效的提高中低频段的电源抑制比，但是增益的提高会带来环路带宽的减小会影响到系统的瞬态响应特性；同时级联两个LDO则会增加系统的功耗，大大降低了LDO的效率。

本发明提出一种高电源抑制比快速响应LDO，应用于增量型的Sigma-delta调制器中，电路结构清晰简单，并且能在快速响应的时候有效提高电源抑制比，实现低功耗。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高电源抑制比快速响应LDO，在快速响应的同时提高了电源抑制比且功耗低，满足了在增量型的Sigma-delta调制器中的应用性能。

为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种高电源抑制比快速响应LDO，包括误差放大器，电阻R1、R2，MOS管Mp、M1、M2、M3，电容C1、CL，所述误差放大器的第一输入端连接至基准电压源，误差放大器的第二输入端与R1的一端、R2的一端连接，误差放大器的负载管端与R1的另一端、M2的第一端、Mp的第二端、CL的一端相连接，并作为整个LDO电路的输出端，误差放大器的输出端与C1的一端、M2的控制端连接，M1的第一端与Mp的第一端相连接至VDD，M1的第二端与M1的控制端、Mp的控制端、M3的第二端连接，M2的第二端与C1的另一端、M3的第一端相连接并经一电流源与R2的另一端相连接至GND，M3的控制端连接作为偏置电压输入端，CL的另一端连接至GND。

在本发明一实施例中，Mp在LDO电路中为功率管。

在本发明一实施例中，M1、M2构成负反馈网络。

在本发明一实施例中，R1、R2构成反馈网络。