[发明专利]双大马士革通孔工艺的返工方法

权利要求书

1.一种双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、双大马士革的通孔穿过第一低K介质层，在所述第一低K介质层上形成有第二介电抗反射涂层，在所述第二介电抗反射涂层的表面上形成有图形化的第三金属硬掩模层；

定义所述通孔的掩模结构包括基于涂层的三层结构，三层结构分别为有机底层结构层、硅氧基硬掩模中间层结构层和光刻胶层；

在形成有所述第三金属硬掩模层的所述第二介电抗反射涂层上涂布所述三层结构；

步骤二、进行所述通孔的光刻显影，显影后的所述光刻胶层中将所述通孔的形成区域打开；

步骤三、进行显影后检测，在所述显影后检测超范围时进行去除所述三层结构的返工工艺；去除所述三层结构的返工工艺中所述光刻胶层、所述硅氧基硬掩模中间层结构层和所述有机底层结构层都采用干法刻蚀工艺去除且是在同一干法刻蚀设备中依次去除；

去除所述光刻胶层的干法刻蚀的刻蚀气体采用基于O2的气体；

去除所述硅氧基硬掩模中间层结构层的干法刻蚀的刻蚀气体采用基于CF4和CHF3的气体；

去除所述有机底层结构层的干法刻蚀的刻蚀气体采用基于O2或基于N2和H2的气体。

2.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：步骤三中去除所述光刻胶层的干法刻蚀的射频频率为60MHZ。

3.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：步骤三中去除所述硅氧基硬掩模中间层结构层的干法刻蚀的射频频率采用双频率，通过调节干法刻蚀的压力调节刻蚀的均匀性，去除所述硅氧基硬掩模中间层结构层的干法刻蚀的终止条件采用时间控制或采用终点检测控制。

4.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：步骤三中去除所述有机底层结构层的干法刻蚀的射频频率为60MHZ，通过调节干法刻蚀的压力调节刻蚀的均匀性。

5.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：步骤三的所述返工工艺中，在采用干法刻蚀去除所述三层结构之后还包括：

进行湿法清洗；

进行背面清洗。

6.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：所述第一低K介质层的材料包括BD或BDⅡ，BD是由C,H,O,Si元素组成的介质材料，BDⅡ是BD改了的改进版本。

7.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：所述第二介电抗反射涂层为SiON或无氮抗反射涂层。

8.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：在所述第二介电抗反射涂层和所述第一低K介质层之间形成有第二氮掺杂碳化硅层。

9.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：所述第三金属硬掩模层为TiN，在所述第三金属硬掩模层的TiN和所述第二介电抗反射涂层之间形成有Ti；在所述第三金属硬掩模层的TiN的顶部表面形成有氧化层；所述通孔形成区域的所述第三金属硬掩模层被打开而直接将所述第二介电抗反射涂层的表面暴露。

10.如权利要求1所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：所述有机底层结构层采用碳涂层，所述硅氧基硬掩模中间层结构层采用硅底部抗反射涂层。

11.如权利要求6所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：所述第一低K介质层形成于第一氮掺杂碳化硅层表面，所述第一氮掺杂碳化硅层形成于半导体衬底表面，在所述半导体衬底上形成有底层金属层，所述底层金属层之间隔离有底层介质膜。

12.如权利要求11所述的双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于：所述第一低K介质层通过TEOS层和所述第一氮掺杂碳化硅层表面接触，TEOS层是采用TEOS作用Si源形成的氧化硅层。