[发明专利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板有效
| 申请号： | 201810546898.0 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108766870B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 程涛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;程晓 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ltps tft 制作方法 基板 | ||
1.一种LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成多晶硅有源层(30)；
步骤S2、在所述衬底基板(10)上沉积形成覆盖多晶硅有源层(30)的栅极绝缘层(40)，用含氮的等离子体对所述栅极绝缘层(40)进行掺氮处理；
步骤S3、在栅极绝缘层(40)上形成栅极(20)及源漏极(50)；
所述步骤S1或步骤S3还包括对所述多晶硅有源层(30)进行P型离子掺杂；
所述步骤S2中，通过反应气体在PECVD设备内形成含氮的等离子对所述栅极绝缘层(40)进行掺氮处理，所述反应气体为氨气；所述PECVD设备对栅极绝缘层(40)进行掺氮处理时所使用的电功率为6000-8000W，对所述栅极绝缘层(40)进行掺氮处理的时间为40-70s。
2.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(40)为氧化硅层。
3.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3还包括在形成源漏极(50)之前，在所述栅极绝缘层(40)上形成对应于所述多晶硅有源层(30)两端上方的过孔(45)，在形成源漏极(50)之后，所述源漏极(50)通过所述过孔(45)与所述多晶硅有源层(30)相接触。
4.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅有源层(30)进行P型离子掺杂时所掺入的离子为硼离子。
5.一种LTPS TFT基板，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于衬底基板(10)上的多晶硅有源层(30)、设于衬底基板(10)上覆盖多晶硅有源层(30)的栅极绝缘层(40)及设于所述栅极绝缘层(40)上的栅极(20)和源漏极(50)；
所述栅极绝缘层(40)经过掺氮处理；
所述多晶硅有源层(30)经过P型离子掺杂；
通过反应气体在PECVD设备内形成含氮的等离子对所述栅极绝缘层(40)进行掺氮处理，所述反应气体为氨气；所述PECVD设备对栅极绝缘层(40)进行掺氮处理时所使用的电功率为6000-8000W，对所述栅极绝缘层(40)进行掺氮处理的时间为40-70s。
6.如权利要求5所述的LTPS TFT基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(40)为氧化硅层。
7.如权利要求5所述的LTPS TFT基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(40)上在对应于所述多晶硅有源层(30)两端上方设有过孔(45)，所述源漏极(50)通过所述过孔(45)与所述多晶硅有源层(30)相接触。
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