[发明专利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板

说明书

本发明提供一种LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板。本发明的LTPS TFT基板的制作方法，在栅极绝缘层成膜后用含氮的等离子体对栅极绝缘层进行掺氮处理，使栅极绝缘层内的正电荷增加，从而能够使P型TFT阈值电压减小，进而能够改善显示面板闪屏的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。

薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括层叠设置于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。

其中，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管与传统非晶硅(A-Si)薄膜晶体管相比，虽然制作工艺复杂，但因其具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED显示面板的制作，低温多晶硅被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。

GOA(Gate Driver on Array)技术即阵列基板行驱动技术，是利用薄膜晶体管阵列制程将栅极扫描驱动电路制作在TFT阵列基板上，以实现逐行扫描的驱动方式，具有降低生产成本和实现面板窄边框设计的优点，为多种显示器所使用。GOA电路具有两项基本功能：第一是输出栅极扫描驱动信号，驱动面板内的栅极线，打开显示区内的TFT，以对像素进行充电；第二是移位寄存功能，当一个栅极扫描驱动信号输出完成后，通过时钟控制进行下一个栅极扫描驱动信号的输出，并依次传递下去。GOA技术能减少外接IC的焊接(Bonding)工序，有机会提升产能并降低产品成本，而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框的显示产品。

目前，金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor，MOS)器件通常采用LTPS制作，其主要分为N型金属氧化物半导体(Negative channel Metal Oxide Semiconductor，NMOS)、P型金属氧化物半导体(Positive channel MetalOxide Semiconductor，PMOS),其中NMOS晶体管(N型TFT)和PMOS晶体管(P型TFT)的主要区别在于所设置的源漏极接触区分别由N型离子重掺杂和P型离子重掺杂所形成。

对于P型TFT而言，当加在栅极上的电压小于阈值电压(VTH)时，源极和漏极之间导通，因此，阈值电压是决定TFT性能的一个重要参量。从节省能耗角度出发，IC芯片的降频驱动模式倍受欢迎，但当P型TFT Vth较大时，在IC芯片驱动下，显示面板在降频时会出现闪屏的情况。这归因于降频情况下IC对GOA信号无推力，导致开通电压(VGH)和关断电压(VGL)电压降增加；期间像素漏电增加，表现为产生串扰(Crosstalk)画面。

针对以上降频闪屏问题，可通过调节P型TFTVth来实现，同时改善TFT器件质量问题和节省能耗。

发明内容