[发明专利]一种碲锰镉晶体透射电镜截面样品的制备方法

权利要求书

1.一种碲锰镉透射电镜截面样品的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤一：第一面初磨

待磨光碲锰镉透射电镜样品依次用9μm金刚石薄膜、3μm金刚石薄膜和1μm金刚石薄膜进行第一面磨光得到初磨样品；

步骤二：样品支撑

用砷化镓对步骤一得到的初磨样品的磨光面进行支撑；

步骤三：第二面预减薄至出现楔形薄区

依次用9μm的金刚石薄膜、3μm的金刚石薄膜和1μm的金刚石薄膜进行初磨样品的第二面磨光得到预减薄的具有楔形薄区的样品；

步骤四：楔形薄区精密减薄

用离子减薄仪对步骤三得到的具有楔形薄区的预减薄样品进行精密减薄；

所述的步骤二具体包括：采用单层砷化镓对碲锰镉初磨样品的第一面磨光面进行单面支撑保护；

离子减薄仪精密减薄的参数包括：电压为2.8kV，电流为10～15uA，离子束发射靶的角度为±7°，温度为恒温30℃；

所述的步骤三具体包括：

调节磨光器使之产生楔形角度,用9μm的金刚石薄膜对初磨样品的第二面磨光至初磨样品的厚度为100μm，3μm的金刚石薄膜在9μm的金刚石薄膜磨光的基础上磨光初磨样品的第二面至较低侧边缘出现0.2～0.5 mm宽的笔直光滑磨痕，1μm的金刚石薄膜在3μm的金刚石薄膜磨光的基础上磨光初磨样品的第二面至较低侧边缘出现0.2～0.5mm宽的笔直光滑磨痕，得到具有楔形薄区的预减薄样品;

还包括：将步骤三得到的预减薄样品黏贴在铜环的扇形区域，养护温度为100℃，养护时间为30min，然后在丙酮中放置24h。