[发明专利]一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法有效

专利信息
申请号: 201810549625.1 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN108766501B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 崔媛媛;张海金;娄冕;王会敏;马子轩;刘虎兵 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G06F15/78
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 高博
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 edac 容错 存储器 故障 注入 设计 验证 方法
【权利要求书】:

1.一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,其特征在于,分工作模式分别对数据/指令域和校验域的读写访问进行不同的控制,在测试模式下,对数据/指令域进行读操作时,仅使数据/指令域的读操作的控制信号有效,实现数据/指令域的测试读访问;对校验域进行读操作时,仅使校验域的读操作的控制信号有效,实现校验域的测试读访问,对数据/指令域进行故障注入时,仅使数据/指令域的写操作的控制信号有效,对数据/指令域进行写操作具体为:在测试模式下,先配置为对数据/指令进行测试的模式,使数据/指令域的写操作的控制信号有效,屏蔽校验域的写操作的控制信号,将要写的数据先写入测试写数据寄存器test_wdata中,之后发写某地址的访问操作,test_wdata寄存器中的数据将写入对应地址的数据/指令域中,而对应校验域中的校验元维持原值不变,对test_wdata寄存器进行读操作,确认写入数据的一致性,实现数据/指令域的任意注错,对校验域进行写操作具体为:

在测试模式下,先配置为校验域测试模式,使校验域的写操作的控制信号,屏蔽数据/指令域的写操作的控制信号,将要写的校验元先写入测试写校验元寄存器test_wedac中,之后发写某地址的访问操作,test_wedac寄存器中的数据将写入对应地址的校验域中,对应数据/指令域中的值维持不变,对test_wedac寄存器进行读操作,确认写入校验元的一致性,实现校验域的任意注错,对校验域进行故障注入时,仅使校验域的写操作的控制信号有效,实现数据/指令域以及校验域的任意故障注入,选择数据/指令域对具有EDAC容错的存储器进行故障注入具体为:当对数据/指令域进行注错时,需要配置为数据/指令域测试模式,当已知目前数据/指令域中对应地址的值,将要改错的数据写入test_wdata寄存器中,发起对相应地址的写操作,如果数据/指令域中对应地址的值是未知的,发起一次对相同地址的读操作,读出的数据记录在test_rdata寄存器中,之后取出test_rdata寄存器中的值,并将其改错,写入test_wdata寄存器中,发起写操作将错误注入到对应的地址中。

2.根据权利要求1所述的一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,其特征在于,根据工作模式,数据/指令域和校验域的读写访问具体如下:

正常工作模式下,数据/指令域和校验域读写访问的控制信号、控制时序一致,数据/指令域和校验域一一对应;测试模式下,数据/指令域和校验域需要有独立的读写访问控制。

3.根据权利要求1或2所述的一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,其特征在于,正常工作模式下,控制信号同时控制数据/指令域和校验域的读写;在测试模式下,如果是测试数据/指令域,则读写控制信号对数据/指令域的访问是有效的,对校验域的读写访问控制器将被置为无效;如果是测试校验域,则读写控制信号对校验域的访问是有效的,对数据/指令域的读写访问控制器将被置为无效。

4.根据权利要求1所述的一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,其特征在于,对数据/指令域进行读操作具体为:

在测试模式下,先配置为对数据/指令进行测试的模式,使数据/指令域的读操作的控制信号有效,屏蔽校验域的读操作的控制信号,发读某地址的读访问操作,对应地址的数据/指令返回到测试读数据寄存器test_rdata中,再对该test_rdata寄存器进行读操作,实现数据/指令域的测试读访问。

5.根据权利要求1所述的一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,其特征在于,对校验域进行读操作具体为:

在测试模式下,先配置为校验域测试模式,使校验域的读操作的控制信号有效,屏蔽数据/指令域的读操作的控制信号,发读某地址的读访问操作,对应地址的校验元会返回到测试读校验元寄存器test_redac中,再对该test_redac寄存器进行读操作,实现校验域的测试读访问。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所,未经西安微电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810549625.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top