[发明专利]一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法有效

专利信息
申请号: 201810549625.1 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN108766501B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 崔媛媛;张海金;娄冕;王会敏;马子轩;刘虎兵 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G06F15/78
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 高博
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 edac 容错 存储器 故障 注入 设计 验证 方法
【说明书】:

本发明公开了一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,分工作模式分别对数据/指令域和校验域的读写访问进行不同的控制,在测试模式下,对数据/指令域进行读操作时,仅使数据/指令域的读操作的控制信号有效,实现数据/指令域的测试读访问;对校验域进行读操作时,仅使校验域的读操作的控制信号有效,实现校验域的测试读访问,对数据/指令域进行故障注入时,仅使数据/指令域的写操作的控制信号有效,对校验域进行故障注入时,仅使校验域的写操作的控制信号有效,实现数据/指令域以及校验域的任意故障注入。本发明实现了数据/指令域和校验域独立的读写访问,确保存储器进行容错设计之后的可测试性。

技术领域

本发明属于集成电路设计技术领域,具体涉及一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法。

背景技术

空间环境中的SEU(Single-Event-Upset)效应极易影响数字集成电路部件,特别是存储器件,导致程序执行错误,从而引起系统失效。存储器可以位于SoC(System onChip)片上,或是位于SoC外部作为其外部存储空间,但存储器控制器一般都位于SoC内。针对空间环境的实际应用,为了提高SoC主存系统的抗辐射能力,片上存储器以及片外存储器需要采用容错加固设计,由于主存系统是不可复现的,通常采用EDAC编码,使得绝大数错误可以通过纠正达到正确复现的目的。采用EDAC编码技术,就需要在原有存储器的基础上,增加冗余的校验元存储器作为校验域。在正常功能模式下,对存储器进行写操作时,无需发送校验元,写数据先经过EDAC编码器生成相应的校验元,再将写数据和校验元分别同时写入数据/指令域和校验域中;对存储器进行读操作时,读数据和对应的校验元会同时分别从数据/指令域和校验域中读出,进入EDAC译码器中进行错误检测,如果读数据无错,只将读数据返回给处理器,处理器无需关心对应的校验元的情况。于是,在正常功能模式下,校验元对处理器是透明的。

但是,存储器的容错设计需要通过验证来确保设计的可靠性。目前采用的方法主要是分析模型法、现场错误数据分析法和故障注入法等,其中,故障注入是对容错设计可靠性验证的有效方法,主要包括软件注错、物理注错和模拟注错等。为了实现对容错型存储器可任意注错和实时观测的目的,在进行容错设计时,就需要对注错结构进行专门设计,满足后续验证容错结构正确性,进行故障注入与验证的需求。

关于怎样进行故障注入以及验证的专利和文献资料很多,例如“一种用于单粒子翻转的故障模拟系统及分析方法”提出了一种大规模集成电路SRAM型FPGA中的单粒子翻转的故障模拟系统和分析方法,其采用软硬件结合的方式,通过上位机和控制板交互完成故障注入和故障检测,实现了SRAM型FPGA容错能力的验证。但是,基于容错结构怎样进行注错设计的资料并不多,有关于TMR结构进行注错设计的文献,例如“TMR故障注入与验证方法研究与实现”(计算机测量与控制)。特别是怎样实现容错型存储器的注错设计与验证,经检索相关专利和文献,尚未发现有解决该问题的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,在测试模式下,数据/指令域和校验域可实现独立的读写操作,并且读写的数据/指令和校验元均是通过对相应寄存器的读写完成的,在可任意注错的同时,实现了数据/指令和校验元的可实时观测的目的,确保存储器进行容错设计之后的可测试性。

本发明采用以下技术方案:

一种具有EDAC容错的存储器故障注入设计及验证方法,分工作模式分别对数据/指令域和校验域的读写访问进行不同的控制,在测试模式下,对数据/指令域进行读操作时,仅使数据/指令域的读操作的控制信号有效,实现数据/指令域的测试读访问;对校验域进行读操作时,仅使校验域的读操作的控制信号有效,实现校验域的测试读访问,对数据/指令域进行故障注入时,仅使数据/指令域的写操作的控制信号有效,对校验域进行故障注入时,仅使校验域的写操作的控制信号有效,实现数据/指令域以及校验域的任意故障注入。

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