[发明专利]曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法在审
申请号: | 201810549912.2 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108803232A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 赵敏敏 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光阻材料 半透光层 光罩基板 曝光光 图形层 蚀刻 边缘位置 过渡结构 图形化 去除 不透光层 光透过率 曝光过程 显影过程 坡度角 透光层 减小 制作 光照 申请 | ||
1.一种曝光光罩,其特征在于,包括:
光罩基板;
设置于所述光罩基板上的图形层,用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成所述图形层对应的图形;以及,
设置于所述光罩基板上的半透光层,所述半透光层位于所述图形层的边缘,用于在所述曝光及显影工艺中减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角。
2.根据权利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,所述光罩基板的光透过率为100%,所述图形层的光透过率为0%,所述半透光层的光透过率大于0%且小于100%。
3.根据权利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,所述半透光层为金属层。
4.根据权利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,所述半透光层围绕所述图形层的整体边缘设置。
5.根据权利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,所述半透光层的数量为两层或两层以上,所述两层或两层以上的半透光层在同一层并列设置。
6.根据权利要求5所述的曝光光罩,其特征在于,当所述半透光层的数量为两层或两层以上时,相邻两层半透光层的光透过率不同。
7.一种曝光光罩制作方法,其特征在于,包括:
提供光罩基板;
制作设置于所述光罩基板的图形层,所述图形层用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成对应的图形;
制作设置于所述光罩基板的半透光层,所述半透光层位于所述图形层的边缘,用于在所述曝光及显影工艺中减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角,所述光罩基板、图形层及半透光层组成所述曝光光罩。
8.根据权利要求7所述的曝光光罩制作方法,其特征在于,使用光透过率为100%的材料制作所述光罩基板,使用光透过率为0%的材料制作所述图形层,使用光透过率大于0%且小于100%的材料制作所述半透光层。
9.一种光阻材料图形化方法,其特征在于,包括:
于衬底基板上进行光阻材料涂覆操作以形成光阻材料层;
使用如权利要求1至6任一项所述的曝光光罩或使用由权利要求7至8任一项所述的曝光光罩制作方法制造得到的曝光光罩对所述光阻材料层进行曝光及显影操作以得到图形化的光阻材料层,所述曝光光罩中的图形层用于使得光阻材料层形成所述图形层对应的图形,所述曝光光罩中的半透光层用于减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角。
10.一种蚀刻方法,其特征在于,所述蚀刻方法包括如权利要求9所述的光阻材料图形化方法。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备