[发明专利]曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法在审
申请号: | 201810549912.2 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108803232A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 赵敏敏 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光阻材料 半透光层 光罩基板 曝光光 图形层 蚀刻 边缘位置 过渡结构 图形化 去除 不透光层 光透过率 曝光过程 显影过程 坡度角 透光层 减小 制作 光照 申请 | ||
本申请涉及一种曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法,该曝光光罩包括光罩基板;设置于光罩基板的图形层;以及,设置于光罩基板的半透光层,半透光层位于图形层的边缘位置。通过在图形层边缘位置添加半透光层,即相当于在全透光层与不透光层之间增加半透光层,该半透光层具有一定的光透过率,在曝光过程中位于该半透光层下面的光阻材料受到一定强度的光照,使得该部分光阻材料在显影过程中被部分去除,从而在完整光阻材料部分以及光阻材料完全去除的部分之间形成一个光阻材料过渡结构,该光阻材料过渡结构的厚度小于完整光阻材料部分的厚度,从而达到减小坡度角的目的。
技术领域
本申请涉及显示器技术领域,特别是涉及一种曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法。
背景技术
在显示行业中,Taper角(坡度角)是指蚀刻工艺后的断面倾斜角,是蚀刻工艺中的一个重要参数值。
如图1所示,现有技术中在进行蚀刻工艺操作时,通过使用传统曝光光罩10对光阻材料层20进行曝光显影从而得到图形化的光阻材料层30。然而,在实际生产过程中,使用传统曝光光罩制作得到的光阻材料图案30存在Taper角(图中ɑ角)较大的缺点,如图2所示,如果Taper角过大,会导致薄膜40在光阻材料层30表面进行爬坡时发生覆盖膜层断裂的情况,从而对产品的性能产生影响。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够减小Taper角的曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法。
一种曝光光罩,包括:
光罩基板;
设置于所述光罩基板上的图形层,用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成所述图形层对应的图形;以及,
设置于所述光罩基板上的半透光层,所述半透光层位于所述图形层的边缘,用于在所述曝光及显影工艺中减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角。
可选地,所述光罩基板的光透过率为100%,所述图形层的光透过率为0%,所述半透光层的光透过率大于0%且小于100%。
可选地,所述半透光层为金属层。
可选地,所述半透光层围绕所述图形层的整体边缘设置。
可选地,所述半透光层的数量为两层或两层以上,所述两层或两层以上的半透光层在同一层并列设置。
可选地,当所述半透光层的数量为两层或两层以上时,相邻两层半透光层的光透过率不同。
一种曝光光罩制作方法,包括:
提供光罩基板;
制作设置于所述光罩基板的图形层,所述图形层用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成对应的图形;
制作设置于所述光罩基板的半透光层,所述半透光层位于所述图形层的边缘,用于在所述曝光及显影工艺中减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角,所述光罩基板、图形层及半透光层组成所述曝光光罩。
可选地,使用光透过率为100%的材料制作所述光罩基板,使用光透过率为0%的材料制作所述图形层,使用光透过率大于0%且小于100%的材料制作所述半透光层。
一种光阻材料图形化方法,包括:
于衬底基板上进行光阻材料涂覆操作以形成光阻材料层;
使用上述曝光光罩或使用由上述曝光光罩制作方法制造得到的曝光光罩对所述光阻材料层进行曝光及显影操作以得到图形化的光阻材料层,所述曝光光罩中的图形层用于使得光阻材料层形成所述图形层对应的图形,所述曝光光罩中的半透光层用于减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角。
一种蚀刻方法,所述蚀刻方法包括上述光阻材料图形化方法。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备