[发明专利]三维存储器的制备方法及沟槽底部刻蚀方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成由第一绝缘层和第二绝缘层交替堆叠形成的绝缘体叠层；

形成垂直贯穿所述绝缘体叠层的存储串；

形成垂直贯穿所述绝缘体叠层直至所述衬底的沟槽；

去除所述第一绝缘层；

在所述沟槽以及所述第一绝缘层被去除后留下的空位中共形地形成阻隔层；

将导体材料填入所述空位中，形成导电层；

在所述沟槽中共形地形成间隔层；

进行第一刻蚀过程，以去除沟槽底部的所述阻隔层和所述间隔层；

进行第二刻蚀过程，在所述第二刻蚀过程中，使得对所述阻隔层和所述间隔层的刻蚀速率相同。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在所述第一刻蚀过程中，采用第一气体对阻隔层和/或间隔层进行化学性刻蚀；

采用不同于所述第一气体的第二气体进行第二刻蚀过程，在所述第二刻蚀过程中，所述第二气体对阻隔层和间隔层不发生化学性刻蚀。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：所述第一气体是含氟气体，所述第二气体是惰性气体。

4.根据权利要求2或3所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：在所述第一刻蚀过程和所述第二刻蚀过程中对所述第一气体和所述第二气体施加的偏压的下限是600伏特；

在所述第一刻蚀过程和所述第二刻蚀过程中对所述第一气体和所述第二气体施加的偏压的上限是2000伏特；

所述第二刻蚀过程的偏压小于或者等于所述第一刻蚀过程的偏压。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：所述第一刻蚀过程的时长的上限是480秒，所述第一刻蚀过程的时长的下限是200秒；

所述第二刻蚀过程的时长的上限是200秒，所述第二刻蚀过程的时长的下限是40秒。

6.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：阻隔层的材质是氧化铝、氧化铪、氧化镧、氧化钇和氧化钽中的一种或多种的组合。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：形成的阻隔层的厚度的范围是2-5纳米。

8.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：间隔层的材质是氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种的组合。

9.根据权利要求8所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：形成的间隔层的厚度的范围是20纳米至40纳米。

10.根据权利要求1-3中任一项所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：包括多个循环刻蚀过程，每个所述循环刻蚀过程包括至少一个第一刻蚀过程和至少一个第二刻蚀过程。

11.根据权利要求10所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：所述循环刻蚀过程的数量的下限是2次，所述循环刻蚀过程的数量的上限是12次；

在每个所述循环刻蚀过程中，所述第一刻蚀过程的时长的上限是120秒，所述第一刻蚀过程的时长的下限是50秒；

在每个所述循环刻蚀过程中，所述第二刻蚀过程的时长的上限是50秒，所述第二刻蚀过程的时长的下限是10秒。

12.根据权利要求10所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：所述多个循环刻蚀过程的多个第一刻蚀过程的工艺参数相同，所述多个循环刻蚀过程的多个第二刻蚀过程的工艺参数相同。

13.根据权利要求10所述的三维存储器的制备方法，其特征在于：所述多个循环刻蚀过程中的最后一个循环刻蚀过程中的第二刻蚀过程的等效刻蚀深度大于至少一个该循环刻蚀过程之前的循环刻蚀过程中的第二刻蚀过程的等效刻蚀深度。