[发明专利]一种钽靶材生产过程中半成品钽螺纹的清洗方法

说明书

本发明提供了一种钽靶材生产过程中半成品钽螺纹的清洗方法，包括如下步骤：(A)将钽螺纹超声波处理3‑10min后，表面涂抹清洁剂；(B)再经过刷洗、吹干、真空干燥即可。本发明的清洗方法通过将超声波、刷洗、真空干燥等处理方法进行综合利用，可以对钽靶在生产制作过程中的清洗工序的操作进行更为精细的设计，除去了钽螺纹表面的脏污、油污，并能提高该靶材的后续使用性能，提高其在溅射过程中的反应速度，降低误码率，提高效率以及提高钽靶的焊接性能，因此该清洗方法虽然工艺简单，但是处理效果显著，值得广泛推广应用。

技术领域

本发明涉及钽靶材生产加工领域，具体而言，涉及一种钽靶材生产过程中半成品钽螺纹的清洗方法。

背景技术

PVD镀膜技术是指采用物理方法，将材料源-固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。比较常用的为溅射镀膜技术。

溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。目前人们开发出了溅射速率较高的射频溅射、三极溅射和磁控溅射技术。

提高溅射镀膜的速率，关键是提高靶材的溅射率，这就必须提高等离子体的电离度，即在相同的放电功率下，获得更多的离子，从离子轰击靶面的溅射产物看，除了击出原子或分子外，还击出二次电子，这些电子被电场加速后与气体原子或分子发生碰撞又引起气体电离。充分利用二次电子的能量是提高等离子体电离度的有效途径。

因此，在半导体芯片的生产过程中，靶材溅射中无论是8寸生产线，12寸生产线都会用到钽靶，尤其是在溅射过程中，会使用钽环配合钽靶材一起使用，在溅射过程中，钽靶会直接参与溅射，所以对钽靶的焊接要求会比较高，可见靶材的性能直接决定着溅射镀膜技术的速度与质量。钽靶在生产制作过程中的一道工序就是钽螺纹清洗，直接会影响到钽靶的焊接良率。可是现有靶材生产过程中并没有注重靶材本身性能的提升，导致其溅射过程中误码率高、反应速度慢。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种钽靶材生产过程中半成品钽螺纹的清洗方法，该方法通过将超声波、刷洗、真空干燥等处理方法进行综合利用，可以对钽靶在生产制作过程中的清洗工序的操作进行更为精细的设计，除去了钽螺纹表面的脏污、油污，并能提高该靶材的后续使用性能，提高其在溅射过程中的反应速度，降低误码率，提高效率以及提高钽靶的焊接性能，因此该清洗方法虽然工艺简单，但是处理效果显著，值得广泛推广应用。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

本发明提供了一种钽靶材生产过程中半成品钽螺纹的清洗方法，包括如下步骤：

(A)将钽螺纹超声波处理3-10min后，表面涂抹清洁剂；

(B)再经过刷洗、吹干、真空干燥即可。

现有技术中，在半导体芯片的生产过程中，靶材溅射中无论是8寸生产线，12寸生产线都会用到钽靶，尤其是在溅射过程中，会使用钽环配合钽靶材一起使用，在溅射过程中，钽靶会直接参与溅射，所以对钽靶的焊接要求会比较高，可见靶材的性能直接决定着溅射镀膜技术的速度与质量。钽靶在生产制作过程中的一道工序就是钽螺纹清洗，直接会影响到钽靶的焊接良率。可是现有靶材生产过程中并没有注重靶材本身性能的提升，导致其溅射过程中误码率高、反应速度慢。