[发明专利]一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法有效
| 申请号： | 201810554403.9 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108610307B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张俊 | 申请（专利权）人： | 安徽建筑大学 |
| 主分类号： | C07D285/125 | 分类号： | C07D285/125 |
| 代理公司： | 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 | 代理人： | 张红哲 |
| 地址： | 230601 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 维新 宽带 半导体 硫基锌 配合 合成 方法 | ||
1.一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，其特征在于：所述合成方法按照如下步骤：
步骤1，将5-甲硫基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇加入至DMF中，机械搅拌至完全溶解，得到5-甲硫基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇有机液；
步骤2，将六水合硝酸锌加入至5-甲硫基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇有机液中，匀速搅拌至完全溶解，得到混合有机液；
步骤3，将三乙胺加入至混合有机液中直至沉淀不再产生，抽滤后得到白色滤饼；
步骤4，将白色滤饼恒温干燥24h得到白色晶体沉淀-硫基锌配合物。
2.根据权利要求1所述的一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，其特征在于：所述步骤1中的5-甲硫基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇在DMF中的浓度为0.02mol/L，所述机械搅拌的搅拌速度为1000-2000r/min。
3.根据权利要求1所述的一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，其特征在于：所述步骤2中的六水合硝酸锌的加入量与5-甲硫基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇的物质的量的比值为0.5，所述匀速搅拌的搅拌速度为2000-3000r/min。
4.根据权利要求1所述的一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，其特征在于：所述步骤3中三乙胺的加入量是DMF体积的20％。
5.根据权利要求1所述的一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，其特征在于：所述步骤3中的三乙胺采用缓慢滴加的方式加入，所述滴加速度为1-4mL/min。
6.根据权利要求1所述的一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，其特征在于：所述步骤3中的抽滤过程中的压力为大气压的3-5倍。
7.根据权利要求1所述的一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，其特征在于：所述步骤4中的恒温干燥的干燥温度为60-80℃。
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