[发明专利]一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法

说明书

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，步骤1，将5‑甲硫基‑1，3，4‑噻二唑‑2‑硫醇加入至DMF中，机械搅拌至完全溶解，得到5‑甲硫基‑1，3，4‑噻二唑‑2‑硫醇有机液；步骤2，将六水合硝酸锌加入至5‑甲硫基‑1，3，4‑噻二唑‑2‑硫醇有机液中，匀速搅拌至完全溶解，得到混合有机液；步骤3，将三乙胺加入至混合有机液中直至沉淀不再产生，抽滤后得到白色滤饼；步骤4，将白色沉淀恒温干燥24h得到白色晶体沉淀‑硫基锌配合物。本发明解决了一维硫基锌配合物的方法空白，具有制备简单，产率稳定的特点，且制备的硫基锌配合物纯度高。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法。

背景技术

ZnS是最早被发现的半导体材料之一，因其多功能性已被广泛应用于发光二极管，激光器，红外窗口，光催化和传感器等领域。随着纳米技术研究的兴起，ZnS半导体纳米材料的合成与应用引起了科学家的关注。由于ZnS半导体纳米材料在诸多领域的广泛应用，因此目前，关于合成ZnS半导体纳米材料的报道很多。ChenZ G等利用化学气相沉积法成功制备了一维ZnS纳米线。Yu等使用溶剂热合成法在水和二亚乙基三胺(DETA)混合溶剂里制备了硫化锌/DETA纳米带。但是水(溶剂)热法通常需要高温、高压、密闭反应体系，制备工艺比较复杂。Wang等以ZnO纳米带为模板，通过与硫源在水溶液中发生化学反应制备了一维ZnS纳米电缆和纳米管。此外，其他制备方法如电化学沉积法、微乳液法、溶胶-凝胶法等也被使用制备一维ZnS纳米材料。

目前ZnS为直接宽带隙半导体材料，禁带宽度约为3.66eV，其制备过程包括物理和化学两种方法。其中近年来对化学方法的研究尤为引人注目。其原因是同物理方法比较而言，化学方法具有成本低、收率高和产业化前景好等优势。然而，同样作为宽带隙半导体结构，且同样具有良好半导体性能的硫基锌配合物还未相关报道。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明提供一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，解决了一维硫基锌配合物的方法空白，具有制备简单，产率稳定，制备的硫基锌纯度高。

为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：

一维新型宽带隙半导体硫基锌配合物的合成方法，所述合成方法按照如下步骤：

步骤1，将5-甲硫基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇加入至DMF中，机械搅拌至完全溶解，得到5-甲硫基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇有机液；

步骤2，将六水合硝酸锌加入至5-甲硫基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇有机液中，匀速搅拌至完全溶解，得到混合有机液；

步骤3，将三乙胺加入至混合有机液中直至沉淀不再产生，抽滤后得到白色滤饼；

步骤4，将白色沉淀恒温干燥24h得到白色晶体沉淀-硫基锌配合物。

所述步骤1中的5-甲硫基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇在DMF中的浓度为0.01mol/L，所述机械搅拌的搅拌速度为1000-2000r/min。

所述步骤2中的六水合硝酸锌的加入量与5-甲硫基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇的物质的量的比值为0.5，所述匀速搅拌的搅拌速度为2000-3000r/min。

所述步骤3中三乙胺的加入量是DMF体积的20％。

所述步骤3中的三乙胺采用缓慢滴加的方式加入，所述滴加速度为1-4mL/min。

所述步骤3中的抽滤过程中的压力为大气压的3-5倍。

所述步骤4中的恒温干燥的干燥温度为60-80℃。

从以上描述可以看出，本发明具备以下优点：