[发明专利]钨前驱体及使用其形成含钨层的方法

权利要求书

1.一种钨前驱体，其特征在于，具有由式1表示的结构，

[式1]

其中，在式1中，

R¹、R²及R³独立地为未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基，

R⁴及R⁵独立地为未经取代的直链或分支的C1到C5烷基、经三甲基硅烷基取代的C1到C5的直链或分支的烷基或二甲基氨基，

R⁴及R⁵相同，

n为1，且

m为1。

2.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，

R¹、R²及R³中的至少一者为甲基、乙基、丙基、丁基或戊基中的一者，且

R⁴及R⁵为甲基、乙基、丙基、丁基或戊基中的一者。

3.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，R¹、R²及R³独立地为异丙基、仲丁基或叔丁基。

4.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，所述钨前驱体的结构是由以下式(1-1)到式(1-6)、式(1-16)到式(1-24)、式(1-34)到式(1-39)、式(1-43)到式(1-45)、式(1-61)、式(1-64)及式(1-67)中的一者表示：

其中，Me表示甲基，Et表示乙基，nPr表示正丙基，iPr表示异丙基，tBu表示叔丁基，且tAm表示叔戊基，且TMS表示三甲基硅烷基。

5.根据权利要求1所述的钨前驱体，其特征在于，

R¹、R²及R³独立地为未经取代的C3到C5的直链或分支的烷基。

6.根据权利要求5所述的钨前驱体，其特征在于，

R¹及R²独立地为叔丁基或叔戊基，且

R³为异丙基、叔丁基或叔戊基。

7.根据权利要求5所述的钨前驱体，其特征在于，R⁴及R⁵为甲基或乙基。

8.一种形成含钨层的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上提供钨前驱体，所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构，

[式1]

其中，在式1中，

R¹、R²及R³独立地为未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基，

R⁴及R⁵独立地为未经取代的直链或分支的C1到C5烷基、经三甲基硅烷基取代的C1到C5的直链或分支的烷基或二甲基氨基，

R⁴及R⁵相同，

n为1，且

m为1。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述提供所述钨前驱体包括：利用热化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、光化学气相沉积或原子层沉积来提供所述钨前驱体。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

利用化学气相沉积工艺来提供所述钨前驱体，且

所述化学气相沉积工艺包括：将所述钨前驱体的蒸气跟随载气一起提供。