[发明专利]钨前驱体及使用其形成含钨层的方法

说明书

本发明公开一种钨前驱体及一种形成含钨层的方法。所述钨前驱体具有由以下式1表示的结构。在式1中，R¹、R²及R³独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基；R⁴及R⁵独立地包括包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、具有C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基；n为1或2，且m为0或1。此外，n+m＝2(例如，当n为1时，m为1)。当n为2时，m为0且R¹及R²各有两个。两个R¹彼此独立，且两个R²彼此独立。本公开的钨前驱体适用于沉积且限制及/或防止半导体器件的劣化。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年6月15日提出申请的韩国专利申请第10-2017-0076029号的优先权，所述韩国专利申请的全部内容并入本申请供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种钨前驱体及一种使用其形成含钨层的方法。

背景技术

半导体器件由于其尺寸小、多功能及/或制作成本低而被视为电子行业中的重要因素。半导体器件可随着电子行业的发展而高度集成。半导体器件的图案线宽因其高集成度(integration)而正在不断减小。因此，电线(electric line)的电阻正在不断增加。使用具有低电阻的钨作为电线材料来减小电线的电阻。还使用钨来形成栅极电极、掩模等。

发明内容

本发明概念的一些示例性实施例提供一种适用于沉积且限制及/或防止半导体器件劣化的钨前驱体。

本发明概念的一些示例性实施例提供一种形成会限制及/或防止半导体器件劣化的含钨层的方法。

根据本发明概念的一些示例性实施例，钨前驱体可由以下式1来表达。

[式1]

在式1中，R¹、R²及R³可独立地包括包含经取代或未经取代的C1到C5的直链或分支的烷基，R⁴及R⁵可独立地为包含C1到C5的直链或分支的烷基、卤素元素、包含C2到C10的二烷基氨基或者包含C3到C12的三烷基硅烷基，n可为1或2，且m可为0或1。此外，n+m可满足关系：n+m＝2。当n为2时，m可为0且R¹及R²中的每一者可提供有两个。两个R¹可彼此独立。两个R²可彼此独立。

根据本发明概念的一些示例性实施例，一种形成含钨层的方法可包括在衬底上提供钨前驱体，且所述钨前驱体可由以上式1来表达。

附图说明

图1示出根据本发明概念一些示例性实施例的由式(1-3)表达的钨前驱体的质子核磁共振(1H-NMR)分析数据。

图2示出根据本发明概念一些示例性实施例的由式(1-3)表达的钨前驱体的大气压力热重量及示差热分析(thermogravimetry and differential thermal analysis，TG-DTA)特性的曲线图。

图3示出根据本发明概念一些示例性实施例的由式(1-3)表达的钨前驱体的减压热重量及示差热分析(TG-DTA)特性的曲线图。

图4示出根据本发明概念一些示例性实施例的由式(1-38)表达的钨前驱体的质子核磁共振(1H-NMR)分析数据。

图5示出根据本发明概念一些示例性实施例的由式(1-64)表达的钨前驱体的质子核磁共振(1H-NMR)分析数据。

具体实施方式