[发明专利]一种结势垒肖特基二极管及制造方法在审

申请号：	201810556262.4	申请日：	2018-06-01
公开（公告）号：	CN108493259A	公开（公告）日：	2018-09-04
发明（设计）人：	关仕汉;迟晓丽	申请（专利权）人：	淄博汉林半导体有限公司
主分类号：	H01L29/872	分类号：	H01L29/872;H01L29/06;H01L23/31;H01L21/329
代理公司：	淄博佳和专利代理事务所 37223	代理人：	孙爱华
地址：	255086 山东省淄博市高***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	结势垒肖特基二极管耐压外延层芯片切割芯片切割面制造衬底切割半导体技术领域表面形成阳极结势垒肖特基阴极金属层表面设置耐压性能上下边缘弯曲弧度钝化层金属层光刻面形生产成本覆盖
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【权利要求书】：

1.一种结势垒肖特基二极管，包括结势垒肖特基芯片以及自芯片上通过引线（11）分别引出的阴极和阳极，结势垒肖特基芯片包括衬底（5）以及衬底（5）上方的外延层（6），在外延层（6）的表面设置有若干有源区内结（3）和位于有源区内结（3）外圈的耐压环（1），有源区内结（3）和耐压环（1）的半导体类型与外延层（6）相反，在外延层（6）的表面形成有与引线（11）连接的阳极金属层（4），在衬底（5）的底面形成与引线（11）连接的阴极金属层（7），其特征在于：芯片切割位置（10）在所述的耐压环（1）的中部，自芯片切割位置（10）切割形成切割面（8），在切割面（8）及切割面（8）的上下边缘区有钝化层（14）覆盖。

2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述的有源区内结（3）为P+型半导体。

3.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述的耐压环（1）为P+型半导体。

4.根据权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：在所述阳极金属层（4）和阴极金属层（7）的表面分别通过焊锡层（12）与所述的引线（11）焊接。

5.根据权利要求4所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述的焊锡层（12）位于钝化层（14）的内侧。

6.一种用于制造权利要求1~5任一项所述的结势垒肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤a，外延层（6）的表面进行次氧化处理，形成氧化层（9），然后在有源区内结（3）以及耐压环（1）的位置对氧化层（9）进行光刻，露出外延层（6）的表面；

步骤b，在光刻后的外延层（6）的上表面注入硼离子并进行扩散，同时形成有源区内结（3）和耐压环（1）；

步骤c，将外延层（6）上表面的氧化层（9）去除；

步骤d，在外延层（6）上表面形成肖特基界面（2）；

步骤e，在外延层（6）的表面以及衬底（5）的底面分别形成阳极金属层（4）和阴极金属层（7），得到结势垒肖特基晶圆，然后按芯片切割位置（10）对结势垒肖特基晶圆进行切割，形成切割面（8），得到分离的结势垒肖特基芯片；

步骤f，在结势垒肖特基芯片的阳极金属层（4）表面通过焊接引线（11）引出阳极，在阴极金属层（7）的表面通过焊接引线（11）引出阴极；

步骤g，对结势垒肖特基芯片进行酸洗钝化工序，在切割面（8）以及上下边缘形成钝化层（14）。