[发明专利]三维（3D）NAND存储器的选择性的主体复位操作在审
| 申请号： | 201810558690.0 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN109215694A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | C·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选定字线 存储器控制器 存储器单元 复位操作 存储器设备 电压电平 关联 选定存储器单元 电位 施加 不稳定性 阈值电压 减小 三维 | ||
1.一种可操作用于对存储器单元进行编程的系统，所述系统包括：
多个存储器单元；以及
存储器控制器，其包括用于以下操作的逻辑单元：
在主体复位操作期间将第一电压电平施加到与所述多个存储器单元相关联的选定字线；以及
在所述主体复位操作期间将第二电压电平施加到与所述多个存储器单元相关联的未选定字线，
其中所述选定字线转变到稳定的负柱电位，使得与所述选定字线相关联的选定存储器单元具有减小的阈值电压不稳定性。
2.如权利要求1所述的系统，其中在所述主体复位操作期间将所述第二电压电平施加到所述未选定字线以使所述未选定字线具有负柱电位，其中所述未选定字线的所述负柱电位在一段时间内转变到增大的柱电位。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述主体复位操作发生在包括在所述多个存储器单元中的源极侧存储器单元处，从而在用于缓解编程干扰的编程禁止操作之前在所述源极侧存储器单元处引起中性柱电位。
4.如权利要求1所述的系统，其中所述主体复位操作用于使所述选定字线的柱电位稳定。
5.如权利要求1所述的系统，其中所述第一电压电平高于所述第二电压电平。
6.如权利要求1所述的系统，其中在编程和验证操作之前执行所述主体复位操作或者在编程和验证操作之后执行所述主体复位操作。
7.如权利要求1所述的系统，其中在读取操作之前执行所述主体复位操作或者在读取操作之后执行所述主体复位操作。
8.如权利要求1所述的系统，其中所述多个存储器单元包括多个四级单元(QLC)。
9.一种可操作用于对存储器设备中的存储器单元进行编程的存储器设备，所述存储器设备包括：
多个存储器单元；以及
存储器控制器，其包括用于以下操作的逻辑单元：
在主体复位操作期间将第一电压电平施加到与所述多个存储器单元相关联的选定字线；以及
在所述主体复位操作期间将第二电压电平施加到与所述多个存储器单元相关联的未选定字线，
其中所述选定字线转变到稳定的负柱电位，使得与所述选定字线相关联的选定存储器单元具有减小的阈值电压不稳定性。
10.如权利要求9所述的存储器设备，其中在所述主体复位操作期间将所述第二电压电平施加到所述未选定字线以使所述未选定字线具有负柱电位，其中所述未选定字线的所述负柱电位在一段时间内转变到增大的柱电位。
11.如权利要求9所述的存储器设备，其中所述主体复位操作发生在包括在所述多个存储器单元中的源极侧存储器单元处，从而在用于缓解编程干扰的编程禁止操作之前在所述源极侧存储器单元处引起中性柱电位。
12.如权利要求9所述的存储器设备，其中所述主体复位操作用于使所述选定字线的柱电位稳定。
13.如权利要求9所述的存储器设备，其中所述第一电压电平高于所述第二电压电平。
14.如权利要求9所述的存储器设备，其中在编程和验证操作之前执行所述主体复位操作或者在编程和验证操作之后执行所述主体复位操作。
15.如权利要求9所述的存储器设备，其中在读取操作之前执行所述主体复位操作或者在读取操作之后执行所述主体复位操作。
16.如权利要求9所述的存储器设备，其中所述多个存储器单元包括多个四级单元(QLC)。
17.如权利要求9所述的存储器设备，其中所述存储器设备是三维(3D)NAND闪速存储器设备。
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