[发明专利]三维（3D）NAND存储器的选择性的主体复位操作

说明书

描述了存储器设备的技术。存储器设备可以包括多个存储器单元和存储器控制器。存储器控制器可以在主体复位操作期间将第一电压电平施加到与多个存储器单元相关联的选定字线。存储器控制器可以在主体复位操作期间将第二电压电平施加到与多个存储器单元相关联的未选定字线。选定字线可以转变到稳定的负柱电位，使得与选定字线相关联的选定存储器单元具有减小的阈值电压不稳定性。

背景技术

存储器设备一般被提供为计算机或其它电子设备中的内部半导体集成电路。存在很多不同类型的存储器，包括易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM))和非易失性存储器(例如，闪速存储器)。

闪速存储器设备一般使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。单元的阈值电压的变化通过电荷存储节点(例如，浮置栅极或电荷捕获)的编程来确定每个单元的数据状态。其它非易失性存储器(例如，相变(PRAM))使用其它物理现象(例如，物理材料变化或偏振)来确定每个单元的数据状态。闪存和其它固态存储器的共同用途包括个人计算机、个人数字助理(PDA)、数字摄像机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、器具、车辆、无线设备、蜂窝电话和可移动便携式存储器模块及其它用途。这样的存储器的用途继续扩展。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，发明实施例的特征和优点将变得显而易见，附图共同以举例的方式示出本发明特征；以及，在附图中：

图1示出主体复位方案；

图2示出根据示例性实施例的主体复位方案；

图3A示出根据示例性实施例的主体复位方案；

图3B示出根据示例性实施例的主体复位方案；

图4A示出存储器设备中的一系列操作；

图4B示出根据示例性实施例的存储器设备中的一系列操作；

图5示出根据示例性实施例的可操作用于对存储器设备中的存储器单元进行编程的存储器设备的功能；

图6示出根据示例性实施例的存储器设备；

图7示出根据示例性实施例的用于对存储器设备中的存储器单元进行编程的方法的流程图；

图8示出根据示例性实施例的存储器系统示图；以及

图9示出根据示例性实施例的包括数据存储设备的计算系统。

现在将参考所示的示例性实施例，并且将在本文中使用特定的语言来对其进行描述。然而将理解的是，并不因此旨在对本发明的范围造成限制。

具体实施方式

在描述所公开的发明实施例之前，应理解本公开不限于本文所公开的特定结构、过程步骤或材料，而是扩展到其等效形式，如相关领域中的普通技术人员将会认识到的。还应理解本文所采用的术语仅用于描述特定的示例或实施例的目的，并不旨在是限制性的。在不同附图中的相同的附图标记表示相同的元件。在流程图和过程中提供的数字是在说明步骤和操作时为了清楚而提供的，且并不一定指示特定的顺序或次序。

此外，在一个或多个实施例中可以以任何适当的方式组合所描述的特征、结构或特性。在下面的描述中，提供了很多特定的细节，例如布局的示例、距离、网络示例等，以提供对各种发明实施例的彻底理解。然而，相关领域中的技术人员将认识到，这种详细的实施例并不限制在本文中清楚地表达的总体创造性概念，而仅仅是其代表。

如在该书面描述中使用的，单数形式“一”、“一个”和“所述”包括对复数所指对象的表达支持，除非上下文另有明确地指示。因此，例如提及“一个位线”包括多个这样的位线。