[发明专利]半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201810559316.2 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN110556422B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 裴风丽 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 魏彦 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
衬底；
设置于所述衬底上的半导体层；
设置在所述半导体层上的源极、栅极和漏极，其中所述源极和漏极与所述半导体层欧姆接触；
设置在所述栅极与所述漏极之间，及所述栅极与所述源极之间的介质层，所述介质层位于所述半导体层之上；
设置在所述栅极与半导体层及所述栅极与介质层之间的隔离层；
所述栅极的金属为Ni、Ni与其他金属的组合中的一种；
所述栅极为肖特基栅时，所述隔离层由半导体或金属组成；
当隔离层为金属时，其功函数比半导体层的功函数大；
当隔离层为半导体时，所述隔离层的禁带宽度和与所述隔离层接触的半导体层的禁带宽度相当或禁带宽度差值大于预设差值；
所述隔离层的厚度不小于5nm，不大于所述栅极长度的1/10；
所述介质层包括一用于容置所述栅极的凹槽，所述隔离层至少将所述凹槽的内壁覆盖，所述栅极部分覆盖在所述隔离层上。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离层为单层或多层结构。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的截面形状包括长方形、梯形、弧形其中之一或之间的组合。
4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底的表面形成半导体层；
在所述半导体层远离所述衬底的表面形成介质层；
在所述半导体层远离所述衬底的表面形成与所述半导体层欧姆接触的源极和漏极；
对所述介质层进行处理形成一凹槽；
沉积预设厚度的隔离层用于覆盖所述凹槽；
在所述凹槽中形成栅极；
所述栅极的金属为Ni、Ni与其他金属的组合中的一种；
所述栅极为肖特基栅时，所述隔离层由半导体或金属组成；
当隔离层为金属时，其功函数比半导体层的功函数大；当隔离层为半导体时，所述隔离层的禁带宽度和与所述隔离层接触的半导体层的禁带宽度相当或禁带宽度差值大于预设差值；
所述隔离层的厚度不小于5nm，不大于所述栅极长度的1/10；
所述介质层包括一用于容置所述栅极的凹槽，所述隔离层至少将所述凹槽的内壁覆盖，所述栅极部分覆盖在所述隔离层上。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体层远离所述衬底的表面形成介质层的过程中，采用金属有机化合物化学气相沉淀或分子束外延进行原位生成所述介质层，或采用低压力化学气相沉积法、原子层沉积法或等离子体增强化学气相沉积法中的至少一种方法生成所述介质层。
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