[发明专利]一种带隙基准电路

说明书

本发明公开了一种带隙基准电路，包括：一启动电路，用于完成所述基准电路的启动和基准电路工作后关闭启动电路；一核心基准电路，采用电流模式的曲率补偿，同时补偿了电路的一级温度系数和高级温度系数；一运放电路，采用简单的两级结构，最小化系统失调电压。本发明一种带隙基准电路，利用两个偏置在不同电流下的三极管，得到关于温度的非线性电流，补偿VEB的高阶温度项。本发明输出电压稳定，有效温度系数小还具有较高的电源抑制比。

技术领域

本发明涉及基准电路，尤其涉及一种带曲率补偿的基准电路。

背景技术

在物联网和大多数无线通讯的应用中，相关接收电路或者发射电路等都是需要低功耗的，因此能产生低功耗的基准电路对整个应用来讲是非常关键和非常必要的。基准电路作为模拟电路的重要部分，一般需要在一个较宽的温度范围内正常工作，因此不仅要求功耗低，还需要性能稳定，有较好的温度特性。传统的方式可以采用带隙基准电路进行设计，但是由于基极-集电极电压、集电极电流和失调电压随温度变化，使得带隙电压的“曲率”是有限的。由于CMOS工艺存在打的失调电压和工艺偏差，带隙基准的样品会表现出明显不同的零温度系数对应的温度值，很难可靠的校正曲率，使得带隙基准电压有很高的温度系数。

发明内容

为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种带隙基准电路，利用两个偏置在不同电流下的三极管，得到关于温度的非线性电流，补偿VEB的高阶温度项。本发明输出电压稳定，有效温度系数小还具有较高的电源抑制比。

为达上述及其它目的，本发明提供一种带隙基准电路，其至少包括：

一启动电路，用于完成所述基准电路的启动和基准电路工作后关闭启动电路；一核心基准电路，采用电流模式的曲率补偿，同时补偿了电路的一级温度系数和高级温度系数；一运放电路，采用简单的两级结构，最小化系统失调电压。

所述启动电路由第七电阻R7、第五PMOS管PM5和第十PMOS管PM10构成；PM10管的源极和PM5管的源极都接电源电压VDD；PM10管的漏极与电阻R7的一端和PM5管的栅极相连接；R7的另一端接VSS。

所述核心基准电路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和一运放构成；PM1管的源极、PM2管的源极、PM3管的源极和PM4管的源极都连接电源电压VDD；PM1管的栅极与PM2管的栅极、PM3管的栅极、PM4管的栅极、PM10管的栅极、PM6管的漏极、运放的反相输入端、电阻R5的一端、PM5管的漏极、电阻R3的一端、Q1管的发射极相连接，其节点标记为X；PM1管的漏极连接PM6管的源极；PM2管的漏极连接PM7管的源极；PM3管的漏极连接PM8管的源极；PM4管的漏极连接PM9管的源极；PM6管的栅极与运放的输出端、PM7管的栅极、PM8管的栅极和PM9管的栅极相连接；PM7管的漏极与电阻R4的一端、电阻R1的一端、电阻R2的一端和运放的同相输入端相连接，其节点标记为Y；PM8管的漏极与电阻R4的另一端、电阻R5的另一端、Q3管的发射极相连接；PM9管的漏极与电阻R6相连，其节点作为基准电压VREF的输出端；电阻R1的另一端连接Q2管的发射极；电阻R3的另一端、Q1管的集电极、Q1管的基极、Q2管的集电极、Q2管的基极、电阻R2的另一端、Q3管的集电极、Q3管的基极和电阻R6的另一端都接VSS。