[发明专利]一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法

权利要求书

1.一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于，

包括以下步骤:

在陶瓷生坯上面形成对准孔、空腔和通孔；

填充所述通孔；

根据相应的电路设计印刷电路板上的线路布局；

重复上述步骤制作其他层的电路板；

通过层压成型工艺将多层电路板叠压在一起；

烧尽有机物并共烧成型，温度在1500~1600℃之间；

电镀金属层；以及

组装CMOS图像传感器。

2.根据权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于，

通过冲压工艺形成所述对准孔、空腔和通孔。

3.根据权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于，

所述陶瓷生坯为氧化铝、莫来石或氮化铝。

4.根据权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于，

所述金属层为Ni、Au或其组合。

5.根据权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于，

填充所述通孔所采用的金属材料为钨、钼或锰。

6.根据权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于，

填充所述通孔采用的方法为丝网印刷法。

7.根据权利要求1所述的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，其特征在于，

采用微孔填充机填充所述通孔。