[发明专利]一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法

说明书

本发明属于半导体封装技术领域，具体为一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法。本发明方法包括：在陶瓷生坯上面形成对准孔、空腔和通孔；填充所述通孔；根据相应的电路设计印刷电路板上的线路布局；重复上述步骤制作其他层的电路板；通过层压成型工艺将多层电路板叠压在一起；烧尽有机物并共烧成型；电镀金属层；以及组装CMOS图像传感器。本发明利用高温共烧陶瓷的优良特性，实现电性能、热性能和机械性能的优化设计，并且避免装配过程中产生污染。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法。

背景技术

高温共烧陶瓷作为一种新型的高导热基板和封装材料，具有高热导率、低热膨胀系数、低介电常数和低介质损耗、高机械强度等特点。因此它可以实现电性能、热性能和机械性能的优化设计，能够满足器件、模块和组件的高功、高密度、小型化和高可靠要求。

工业用CMOS图像传感器不同于手机上安装的传感器，它需要高精度、高分辨率以及高速图像捕捉能力。为了实现这样的目标，需要更大的像素以及更高的帧率/行频。对于线性传感器来说，它特别适用于工业用途。而随着产品尺寸的不断增大，对于超长线扫描相机的需要日益急迫。为了满足这方面的需求，人们研究了不同的陶瓷封装设计和封装程序。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法。

本发明提供的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，具体步骤为：

在陶瓷生坯上面形成对准孔、空腔和通孔；

填充通孔；

根据相应的电路设计印刷电路板上的线路布局；

重复上述步骤制作其他层的电路板；

通过层压成型工艺将多层电路板叠压在一起；

烧尽有机物并共烧成型；

电镀金属层；以及

组装CMOS图像传感器。

本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中，优选地，通过冲压工艺形成所述对准孔、空腔和通孔。

本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中，优选地，所述陶瓷生坯为氧化铝、莫来石或氮化铝。

本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中，优选地，所述金属层为Ni、Au或其组合。

本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中，优选地，填充所述通孔所采用的金属材料为钨、钼、钼或锰。

本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中，优选地，所述烧尽有机物并共烧成型的温度在1500~1600℃之间。

本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中，优选地，填充所述通孔采用的方法为丝网印刷法。

本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法中，优选地，采用微孔填充机填充所述通孔。

本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法，利用高温共烧陶瓷的优良特性，可以实现电性能、热性能和机械性能的优化设计，并且避免装配过程中产生污染，是图像传感器的理想封装方法。

附图说明

图1是本发明的基于高温共烧陶瓷的线阵图像传感器封装方法的流程图。

图2是形成对准孔、空腔和通孔的结构示意图。

图3是填充通孔后的结构示意图。

图4是印刷电路板上的线路布局后的结构示意图。