[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201810562014.0 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN109003942A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 立石俊幸;田渕智隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件芯片 晶片 制造 背面 间隔道 金属膜 分割 芯片 金属膜形成 芯片飞散 剥离 损伤 | ||
【权利要求书】：
1.一种器件芯片的制造方法，该器件芯片在正面上形成有器件且在背面上形成有金属膜，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：
晶片准备步骤，准备在正面的由交叉的多条间隔道划分的各区域中分别形成有器件的晶片；
分割步骤，沿着该间隔道将该晶片分割成各个器件芯片；以及
金属膜形成步骤，在已被分割成各个该器件芯片的该晶片的背面上形成该金属膜。
2.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其中，
在所述分割步骤中，
从背面侧将所述晶片薄化至规定的厚度，并沿着所述间隔道将已薄化的该晶片分割成各个器件芯片。
3.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其中，
在所述分割步骤中，从所述晶片的正面沿着所述间隔道形成深度达到规定的完工厚度的槽，
通过在形成有该槽的晶片的正面上配设保护部件，并在利用保持单元对该保护部件侧进行了保持的状态下从背面侧将该晶片薄化至该完工厚度，从而将该晶片分割成各个所述器件芯片。
4.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其中，
在所述分割步骤中，
通过在将对于所述晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部的状态下，沿着所述间隔道照射该激光束，从而形成沿着该间隔道的改质层，
通过从背面侧对形成有该改质层的晶片进行磨削而使该晶片薄化，从而将该晶片分割成各个所述器件芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
