[发明专利]器件芯片的制造方法

说明书

提供器件芯片的制造方法，在制造在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的情况下，确保不产生膜从芯片的剥离、芯片飞散、或由于芯片彼此的接触所导致的损伤等。该器件芯片的制造方法是在正面(Wa)上形成有器件(D)且在背面(Wb)上形成有金属膜的器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在正面(Wa)的由交叉的多条间隔道(S)划分的各区域中分别形成有器件(D)的晶片(W)；分割步骤，沿着间隔道(S)将晶片(W)分割成各个器件芯片；以及金属膜形成步骤，在已被分割成各个器件芯片的晶片(W)的背面(Wb)上形成金属膜(J)。

技术领域

本发明涉及在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的制造方法。

背景技术

存在如下的器件芯片：在背面上形成有成为电极的金属层的器件芯片、为了提高芯片的强度而在背面上形成有树脂层的器件芯片、或在背面上粘贴有树脂膜来作为芯片贴装用的结合材料的器件芯片。要想制造这些器件芯片，在晶片的状态下在背面上形成金属膜或树脂膜、或者在背面上粘贴树脂膜，然后对在背面上形成有该膜等的晶片进行分割。但是，将层叠有不同材质的晶片断开比较困难，当利用切削刀具对具有树脂等特别是有延展性的膜的晶片进行切削时，在切削刀具产生由于膜所导致的堵塞，在膜上产生飞边。

近年来，随着器件芯片的小型化，采用使用了等离子蚀刻装置(例如参照专利文献1)的等离子切割来提高晶片分割时的生产率。但是，凭借基于蚀刻气体的等离子切割无法将上述各种膜断开。因此，例如在晶片分割后喷射干冰将上述膜断开等而进行应对(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2015-037110号公报

专利文献2：日本特开2016-096266号公报

但是，如上述专利文献2所记载的那样凭借干冰的喷射难以将膜完全断开，也有可能在膜上产生未分割区域。通过提高干冰的喷射压力，能够抑制未分割区域的产生，但由于高压的干冰的喷射，有时膜会从芯片剥离、产生芯片飞散、芯片发生移动而使相邻的芯片彼此接触而损伤。

由此，存在下述课题：在制造在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的情况下，确保不产生膜从芯片的剥离、芯片飞散、或由于芯片彼此的接触所导致的损伤等。

发明内容

本发明提供在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的制造方法。

用于解决上述课题的本发明是器件芯片的制造方法，该器件芯片在正面上形成有器件且在背面上形成有金属膜，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在正面的由交叉的多条间隔道划分的各区域中分别形成有器件的晶片；分割步骤，沿着该间隔道将该晶片分割成各个器件芯片；以及金属膜形成步骤，在已被分割成各个该器件芯片的该晶片的背面上形成该金属膜。

优选在所述分割步骤中，从背面侧将所述晶片薄化至规定的厚度，沿着所述间隔道将已薄化的该晶片分割成各个器件芯片。

优选在所述分割步骤中，从所述晶片的正面沿着所述间隔道形成深度达到规定的完工厚度的槽，通过在形成有该槽的晶片的正面上配设保护部件，并在利用保持单元对该保护部件侧进行了保持的状态下从背面侧将该晶片薄化至该完工厚度，从而将该晶片分割成各个所述器件芯片。

优选在所述分割步骤中，通过在将对于所述晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部的状态下，沿着所述间隔道照射该激光束，从而形成沿着该间隔道的改质层，通过从背面侧对形成有该改质层的晶片进行磨削而使该晶片薄化，从而将该晶片分割成各个所述器件芯片。

本发明的器件芯片的制造方法实施分割步骤，沿着间隔道将晶片分割成各个器件芯片，然后实施金属膜形成步骤，在已被分割成各个器件芯片的晶片的背面上形成金属膜，因此能够不产生膜从芯片的剥离、芯片飞散、或由于芯片彼此的接触所导致的损伤等而制造在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片。