[发明专利]数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置

权利要求书

1.一种数据写入方法，用于将数据写入至一可复写式非易失性存储器模块的一存储器单元，该数据写入方法包括：

记录所述存储器单元的磨损程度值；以及

根据所述存储器单元的磨损程度值增加，减少每一写入电压的脉冲时间，并且使用对应所述存储器单元的一初始写入电压及减少后的写入电压脉冲时间对所述存储器单元的一电荷补捉层注入一注入电子量，以将所述数据写入至所述存储器单元中，

其中倘若所述存储器单元未被编程至一正确的存储状态时，将所述初始写入电压加上一预设补偿值作为一重复写入电压，并且依据所述重复写入电压及减少后的写入电压脉冲时间再次编程所述存储器单元。

2.如权利要求1所述的数据写入方法，还包括：

随着所述存储器单元的磨损程度值增加，降低对应所述存储器单元的所述初始写入电压。

3.如权利要求2所述的数据写入方法，其中上述随着所述存储器单元的磨损程度值增加，降低对应所述存储器单元的所述初始写入电压的步骤包括：

判断所述存储器单元的磨损程度值是否小于一第一阈值；

倘若所述存储器单元的磨损程度值小于所述第一阈值时，使用一第一写入电压作为所述初始写入电压；

倘若所述存储器单元的磨损程度值非小于所述第一阈值时，判断所述存储器单元的磨损程度值是否小于一第二阈值；

倘若所述存储器单元的磨损程度值小于所述第二阈值时，使用一第二写入电压作为所述初始写入电压；

倘若所述存储器单元的磨损程度值非小于所述第二阈值时，使用一第三写入电压作为所述初始写入电压，

其中所述第一写入电压大于所述第二写入电压，并且所述第二写入电压大于所述第三写入电压。

4.如权利要求1所述的数据写入方法，其中随着所述存储器单元的磨损程度值增加，减少对应所述存储器单元的每一所述写入电压的脉冲时间的步骤包括：

判断所述存储器单元的磨损程度值是否小于一第一阈值；

倘若所述存储器单元的磨损程度值小于所述第一阈值时，使用一第一时间作为所述写入电压脉冲时间；

倘若所述存储器单元的磨损程度值非小于所述第一阈值时，判断所述存储器单元的磨损程度值是否小于一第二阈值；

倘若所述存储器单元的磨损程度值小于所述第二阈值时，使用一第二时间作为所述写入电压脉冲时间；

倘若所述存储器单元的磨损程度值非小于所述第二阈值时，使用一第三时间作为所述写入电压脉冲时间，

其中所述第一时间大于所述第二时间，并且所述第二时间大于所述第三时间。

5.如权利要求1所述的数据写入方法，其中所述存储器单元的磨损程度值是依据所述存储器单元的一擦除次数、一写入次数、一错误位数、一错误位比例及一读取次数的至少其中之一来决定。

6.一种存储器控制器，用于将数据写入至一可复写式非易失性存储器模块的一存储器单元，该存储器控制器包括：

一主机接口，用以电性连接至一主机系统；

一存储器接口，用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块；以及

一存储器管理电路，电性连接至所述主机接口与所述存储器接口，

其中所述存储器管理电路用以记录所述存储器单元的磨损程度值，

其中所述存储器管理电路还用以随着所述存储器单元的磨损程度值增加，减少对应所述存储器单元的每一写入电压的脉冲时间，并且使用对应所述存储器单元的一初始写入电压与减少后的写入电压脉冲时间对所述存储器单元的一电荷补捉层注入一注入电子量，以将所述数据写入至所述存储器单元中，其中倘若所述存储器单元未被编程至一正确的存储状态时，所述存储器管理电路还用以将所述初始写入电压加上一预设补偿值作为一重复写入电压，并且依据所述重复写入电压及减少后的写入电压脉冲时间再次编程所述存储器单元。

7.如权利要求6所述的存储器控制器，其中，所述存储器管理电路还用以随着所述存储器单元的磨损程度值增加，降低对应所述存储器单元的所述初始写入电压。