[发明专利]数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置

说明书

本公开提出一种数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置。本数据写入方法包括记录此存储器单元的磨损程度值，并且根据此存储器单元的磨损程度值，调整对应此存储器单元的初始写入电压与写入电压脉冲时间的至少其中之一。本数据写入方法还包括使用对应此存储器单元的初始写入电压与写入电压脉冲时间编程此存储器单元，以将数据写入至此存储器单元中。基此，本发明可精确地将数据存储至可复写式非易失性存储器模块中。

本发明是2012年08月21日所提出的申请号为201210298808.3、发明名称为《数据写入方法、存储器控制器与存储器存储装置》的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据写入方法及使用此方法的存储器控制器与存储器存储装置。

背景技术

数字相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储介质的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记型计算机。固态硬盘就是一种以快闪存储器作为存储介质的存储装置。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

图1是根据已知技术所绘示的快闪存储器元件的示意图。

请参照图1，快闪存储器元件1包含用于存储电子的电荷捕捉层(charge trapinglayer)2、用于施加偏压的控制栅极(Control Gate)3、穿遂氧化层(Tunnel Oxide)4与多晶硅间介电层(Interpoly Dielectric)5。当欲写入数据至快闪存储器元件1时，可通过将电子注入电荷补捉层2以改变快闪存储器元件1的临界电压，由此定义快闪存储器元件1的数字高低态，而实现存储数据的功能。在此，注入电子至电荷补捉层2的过程称为编程。反之，当欲将所存储的数据移除时，通过将所注入的电子从电荷补捉层2中移除，则可使快闪存储器元件1回复为未被编程前的状态。

在写入与擦除过程中，快闪存储器元件1会随着电子的多次的注入与移除而造成磨损，导致电子写入速度增加并造成临界电压分布变宽。因此，在快闪存储器元件1被编程后无法被正确地识别其存储状态，而产生错误位。

发明内容

本发明提供一种数据写入方法，其能够有效地防止过度编程并减少错误位的发生。

本发明提供一种存储器控制器，其能够有效地防止过度编程并减少错误位的发生。

本发明提供一种存储器存储装置，能够有效地防止过度编程并减少错误位的发生。

本发明范例实施例提出一种数据写入方法，用于将数据写入至可复写式非易失性存储器模块的存储器单元(memory cell，又称之为“记忆胞”)。本数据写入方法包括记录此存储器单元的磨损程度值。本数据写入方法还包括根据此存储器单元的磨损程度值调整对应此存储器单元的注入电子量，并且对此存储器单元的电荷补捉层注入此注入电子量，以将上述数据写入至存储器单元中。

在本发明的一实施例中，上述根据此存储器单元的磨损程度值调整对应此存储器单元的注入电子量，并且对此存储器单元的电荷补捉层注入此注入电子量，以将上述数据写入至存储器单元中的步骤包括：根据此存储器单元的磨损程度值，调整对应此存储器单元的初始写入电压与写入电压脉冲时间的至少其中之一，并且使用对应此存储器单元的初始写入电压与写入电压脉冲时间编程此存储器单元，以将数据写入至此存储器单元中。

在本发明的一实施例中，上述根据存储器单元的磨损程度值调整对应此存储器单元的初始写入电压与写入电压脉冲时间的至少其中之一的步骤包括：随着此存储器单元的磨损程度值增加，降低对应此存储器单元的初始写入电压。