[发明专利]一种考虑饱和的开关磁阻电机磁场解析计算方法有效

专利信息
申请号: 201810563761.6 申请日: 2018-06-04
公开(公告)号: CN108875168B 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 左曙光;胡胜龙;吴双龙;邓文哲;郑玉平;刘明田 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 赵继明
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 考虑 饱和 开关 磁阻 电机 磁场 解析 计算方法
【权利要求书】:

1.一种考虑饱和的开关磁阻电机磁场解析计算方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)在极坐标系下,分别建立定子齿槽域、转子齿槽域和气隙域的磁矢势方程,

2)根据磁场边界条件、磁矢势与磁通密度的关系式,获取气隙域线性磁通密度解析模型,

3)在笛卡尔坐标系下,结合铁磁材料的磁导率—磁通密度特性曲线,获取考虑饱和的径向磁通密度解析模型,

4)根据饱和径向磁通密度求取过程中的动态磁导率,进一步获取考虑饱和的切向磁通密度解析计算模型;

所述的步骤1)包括以下步骤:

11)建立定子齿槽域的磁矢势方程:

其中,N为最高谐波阶数,为定子齿槽域的切向磁导率系数矩阵,为定子齿槽域的径向磁导率系数矩阵,λ3为V3的特征值,W3为V3的特征向量,I为单位对角矩阵,R4为定子槽外径,向量a3和向量b3由式(4)求取,r为气隙半径,RS为定子内径,θ为空间圆周角,j表示虚数单位,

12)建立转子齿槽域的磁矢势方程:

其中,λ1为V1的特征值,W1为V1的特征向量,为转子齿槽域的切向磁导率系数矩阵,为转子齿槽域的径向磁导率系数矩阵,R1为转子槽内径,向量a1和向量b1为由式(4)求取,Rr为转子外径,

13)建立气隙域的磁矢势方程:

其中,λ2=([Nθ]2)1/2,向量a2和向量b2为由式(4)求取;

其中,μ0为空气的磁导率,Jz为由电流密度的复式傅立叶系数构成的列向量;

所述的步骤2)具体包括以下步骤:

21)确定磁场的边界条件:

其中,Hθ为磁场强度的切向分量,Az为轴向磁矢势,R1、R4、Rr、Rs分别为转子槽内径、定子槽外径、转子外径、定子内径,上标(1)、上标(2)、上标(3)分别代表转子齿槽域、气隙域、定子齿槽域,

22)确定磁矢势与磁通密度的关系式:

其中,Br为径向磁通密度,Bθ为切向磁通密度,

23)建立气隙域线性磁通密度解析模型:

其中,为气隙径向线性磁通密度,为气隙切向线性磁通密度。

2.根据权利要求1所述的一种考虑饱和的开关磁阻电机磁场解析计算方法,其特征在于,所述的步骤3)具体包括以下步骤:

31)对于线性气隙域,运用式(8)获取径向线性磁通密度;

32)对于饱和气隙域,先根据铁磁材料的磁通密度—磁场强度特性曲线,获取磁导率—磁通密度曲线;

33)对于饱和气隙域,再运用笛卡尔坐标系下的绕组函数理论,获取径向饱和磁通密度:

其中,g为气隙长度,μ0为空气磁导率,μd为动态磁导率,l为转子极高,F1、F2、F3分别为A相、B相、C相的磁动势,λs为定子开槽影响系数,λr为转子开槽影响系数。

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