[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括金属间介电层以及位于所述金属间介电层上的上层金属电极；

形成钝化层，所述钝化层覆盖所述上层金属电极和所述金属间介电层；

在钝化层表面上相邻的上层金属电极之间的位置刻蚀形成第一凹槽；

形成露出上层金属电极的通孔；

在所述通孔中形成金属柱；

其中，所述方法还包括在形成所述通孔前，在所述上层金属电极的上方的钝化层表面形成第二凹槽；

其中，所述第二凹槽的宽度大于所述通孔的宽度，所述通孔和所述第二凹槽共同组成露出所述上层金属电极的阶梯状结构；

所述金属柱为阶梯状结构，所述金属柱的横截面尺寸由下至上依次增大；

其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽通过同一道刻蚀工序形成；

其中，所述钝化层包括依次叠置的二氧化硅层和氮化硅层；

其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度相同且小于所述氮化硅层的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽宽度小于或等于相邻所述金属柱间的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，使用各向异性的干法刻蚀刻蚀所述钝化层，形成所述第一凹槽和所述第二凹槽。

4.一种半导体结构，其特征在于，包括：

依次叠置的半导体衬底、金属间介电层、上层金属电极；

钝化层，覆盖所述金属间介电层并具有露出所述上层金属电极的通孔；以及

形成于所述钝化层上，通过所述通孔与所述上层金属电极相互连接的金属柱；

其中，所述钝化层表面上相邻的上层金属电极之间的位置形成有第一凹槽以使得相邻的金属柱之间的钝化层形成为阶梯状；

其中，所述半导体结构还包括在所述上层金属电极的上方的钝化层形成有第二凹槽；

其中，所述第二凹槽的宽度大于所述通孔的宽度以使所述金属柱具有阶梯状结构；

所述金属柱的横截面尺寸由下至上依次增大；其中，所述钝化层包括依次叠置的二氧化硅层和氮化硅层；

其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度相同且小于所述氮化硅层的厚度。