[发明专利]一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置有效

专利信息
申请号: 201810568972.9 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN108588685B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 梁亚 申请(专利权)人: 美若科技有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;H01L21/67
代理公司: 广州文衡知识产权代理事务所(普通合伙) 44535 代理人: 魏娜
地址: 276800 山东省日照市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 生产 等离子 辅助 化学 沉积 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置,包括转动电机(1)、内壁罩(6)、上极片(9)和出气管(10),其特征在于:所述转动电机(1)固定安装于底盘(2)的底部中心处,且转动电机(1)的上端固定连接有晶体托架(3),并且晶体托架(3)位于底盘(2)的上方,所述晶体托架(3)的底部边缘处设置有滚珠(4),并且晶体托架(3)和底盘(2)连接处的边侧安装有下极片(5),所述内壁罩(6)的下端设置于底盘(2)的顶部边缘处,且内壁罩(6)的外侧设置有外壁罩(7),并且内壁罩(6)和外壁罩(7)均通过同一固定件(8)固定于底盘(2)上,所述上极片(9)位于内壁罩(6)上,且上极片(9)设置于晶体托架(3)的正上方,所述出气管(10)安装于内壁罩(6)和外壁罩(7)上,且出气管(10)上安装有气阀(11),并且气阀(11)位于晶体托架(3)的一侧,所述晶体托架(3)的另一侧设置有输气管(12),且输气管(12)的近端连接有输气喷头(13),并且输气管(12)的远端安装有通气管(14),所述通气管(14)上设置有另一气阀(11),且通气管(14)的管端连接有气泵(15);

所述下极片(5)设置为环状结构,且下极片(5)设置有2块;所述内壁罩(6)和外壁罩(7)相互贴合,且内壁罩(6)和外壁罩(7)均与底盘(2)构成螺栓连接的拆卸安装结构;所述内壁罩(6)和外壁罩(7)的材质为钢化玻璃,且外壁罩(7)的顶部设置为圆弧形;所述出气管(10)贯穿于内壁罩(6)和外壁罩(7),且出气管(10)与内壁罩(6)和外壁罩(7)螺纹连接;所述输气喷头(13)等间距均匀设置,且输气喷头(13)的分布长度与晶体托架(3)的高度相等,并且晶体托架(3)设计为旋转结构;

在使用该半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置时,首先将需要镀膜的半导体晶体等间距固定于晶体托架(3)上,将内壁罩(6)和外壁罩(7)贴合叠加,然后通过固定件(8)将内壁罩(6)和外壁罩(7)固定于底盘(2)的顶部,随后安装出气管(10),转动气阀(11)将出气管(10)封堵,开启气泵(15),将装置内的气体和微粒杂质吸出,造成装置内的低压环境,随后开启转动电机(1)使得晶体托架(3)转动,与此同时,通过输气管(12)往装置内导入气相物质,并关闭气泵(15)和通气管(14)上的气阀(11),输气管(12)导入的气相物质在输气喷头(13)的作用下散落于晶体托架(3)上的半导体晶体上,并控制下极片(5)和上极片(9)工作,提高镀膜工作效率,同时开启出气管(10)上的气阀(11),通过出气管(10)对气相物质进行回收再利用。

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