[发明专利]一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置

说明书

本发明公开了一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置，包括转动电机、内壁罩、上极片和出气管，所述转动电机固定安装于底盘的底部中心处，且转动电机的上端固定连接有晶体托架，所述晶体托架的底部边缘处设置有滚珠，所述内壁罩的下端设置于底盘的顶部边缘处，且内壁罩的外侧设置有外壁罩，所述上极片位于内壁罩上，且上极片设置于晶体托架的正上方，所述出气管安装于内壁罩和外壁罩上，所述晶体托架的另一侧设置有输气管，且输气管的近端连接有输气喷头，所述通气管上设置有另一气阀，且通气管的管端连接有气泵。该半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置，加快半导体晶体镀膜效率，减少微粒杂质对镀膜的影响。

技术领域

本发明涉及半导体生产技术领域，具体为一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置。

背景技术

半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料；半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用；如二极管就是采用半导体制作的器件；半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

然而现有的半导体气相沉积镀膜操作工作效率底，在镀膜时晶体上容易夹杂微粒杂质，影响气相沉积镀膜的工作效率。针对上述问题，急需在原有的化学气相沉积装置基础上进行创新设计。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置，以解决上述背景技术提出现有的半导体气相沉积镀膜操作工作效率底，在镀膜时晶体上容易夹杂微粒杂质，影响气相沉积镀膜工作效率的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置，包括转动电机、内壁罩、上极片和出气管，所述转动电机固定安装于底盘的底部中心处，且转动电机的上端固定连接有晶体托架，并且晶体托架位于底盘的上方，所述晶体托架的底部边缘处设置有滚珠，并且晶体托架和底盘连接处的边侧安装有下极片，所述内壁罩的下端设置于底盘的顶部边缘处，且内壁罩的外侧设置有外壁罩，并且内壁罩和外壁罩均通过同一固定件固定于底盘上，所述上极片位于内壁罩上，且上极片设置于晶体托架的正上方，所述出气管安装于内壁罩和外壁罩上，且出气管上安装有气阀，并且气阀位于晶体托架的一侧，所述晶体托架的另一侧设置有输气管，且输气管的近端连接有输气喷头，并且输气管的远端安装有通气管，所述通气管上设置有另一气阀，且通气管的管端连接有气泵。

优选的，所述下极片设置为环状结构，且下极片设置有2块。

优选的，所述内壁罩和外壁罩相互贴合，且内壁罩和外壁罩均与底盘构成螺栓连接的拆卸安装结构。

优选的，所述内壁罩和外壁罩的材质为钢化玻璃，且外壁罩的顶部设置为圆弧形。

优选的，所述出气管贯穿于内壁罩和外壁罩，且出气管与内壁罩和外壁罩螺纹连接。

优选的，所述输气喷头等间距均匀设置，且输气喷头的分布长度与晶体托架的高度相等，并且晶体托架设计为旋转结构。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该半导体生产用等离子辅助化学气相沉积装置，设置有拆卸结构的内壁罩和外壁罩，将晶体托架设置于一个密封的环境中，通过输气管和输气喷头对半导体晶体进行镀膜，方便半导体晶体的拆卸和安装，在晶体托架上下两个方向分别设置有上极片和下极片，将晶体托架所在区域形成一个大电容环境，从而加快半导体晶体的化学气相沉积效率，拆卸式的出气管对输气管导入的气态物质进行回收再利用，额外设置的气泵，在化学气相沉积操作前运行，排出晶体托架所在区域的微粒，从而解决了晶体镀膜时会混入微粒杂质的问题。

附图说明

图1为本发明正面结构示意图；

图2为本发明出气管安装结构示意图；

图3为本发明下极片安装结构示意图。