[发明专利]一种半导体生产用化学气相沉积装置有效

专利信息
申请号: 201810568974.8 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN108588683B 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 梁亚 申请(专利权)人: 南京溧航仿生产业研究院有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458
代理公司: 44376 广州高炬知识产权代理有限公司 代理人: 刘志敏
地址: 211299 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 滑轨 固定装置 上端 化学气相沉积装置 半导体生产 安装槽 弹性件 滑动块 一端设置 限位块 内壳 转轴 电机 工作效率 基板内部 双面安装 固定块 连接板 拆卸 镀膜 基板 半导体 预留 清洗 把手 贯穿 移动
【说明书】:

发明公开了一种半导体生产用化学气相沉积装置,包括内壳、固定装置、滑动块、第二滑轨和限位块,所述内壳的一端安装有电机,且电机的一端设置有转轴,并且转轴贯穿基板内部和固定块相连接,所述固定装置安装在基板的上端,且固定装置的中间预留有安装槽,并且安装槽的一端设置有第一滑轨,所述滑动块安装在第一滑轨的上端,且滑动块的上端设置有调节把手,所述第二滑轨安装在第一滑轨和弹性件中间,且弹性件的上端设置有连接板,所述限位块固定在弹性件中间。该半导体生产用化学气相沉积装置,通过双面安装固定装置,提高了工作效率,且方便对安装槽进行拆卸进行清洗,同时也避免了半导体随意移动,影响镀膜的的质量。

技术领域

本发明涉及半导体生产加工技术领域,具体为一种半导体生产用化学气相沉积装置。

背景技术

化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法,化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。

然而,现在现有的半导体化学气相沉积装置,在对半导体进行镀膜时,安装不稳定,导致影响半导体镀膜的质量,且市场上多为单面镀膜,单面镀膜大大降低了工作效率。容易对针对上述问题,急需在原有的半导体生产用化学气相沉积装置上进行创新设计。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体生产用化学气相沉积装置,以解决上述背景技术中提出安装不稳定和降低工作效率的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体生产用化学气相沉积装置,包括内壳、固定装置、滑动块、第二滑轨和限位块,所述内壳的一端安装有电机,且电机的一端设置有转轴,并且转轴贯穿基板内部和固定块相连接,所述固定装置安装在基板的上端,且固定装置的中间预留有安装槽,并且安装槽的一端设置有第一滑轨,所述滑动块安装在第一滑轨的上端,且滑动块的上端设置有调节把手,所述第二滑轨安装在第一滑轨和弹性件中间,且弹性件的上端设置有连接板,并且连接板的上端安装有固定板,所述限位块固定在弹性件中间。

优选的,所述内壳的直径大于基板的直径,且基板和电机构成旋转结构。

优选的,所固定装置等间距设置有4个,且固定装置和内壳构成安装拆卸结构。

优选的,所述第一滑轨和滑动块构成滑动连接,且第一滑轨和滑动块设置在固定装置的四角。

优选的,所述固定板的中心和弹性件的中心相对应,且固定板的半径长度大于第二滑轨到弹性件之间的长度。

优选的,所述限位块的直径大于固定装置的直径。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:该半导体生产用化学气相沉积装置,通过双面安装固定装置,提高了工作效率,且方便对安装槽进行拆卸进行清洗,同时也避免了半导体随意移动,影响镀膜的的质量,设置转轴,方便带动基板进行旋转,有利于对基板两侧的半导体进行镀膜,提高了工作效率,设定滑动块,方便对安装槽内的半导体进行固定,同时也方便半导体的安装和拆卸,设定弹性件,方便对固定装置进行固定,避免基板在旋转时,固定装置掉落。

附图说明

图1为本发明正视结构示意图;

图2为本发明固定装置侧视结构示意图;

图3为本发明固定装置放大安装结构示意图。

图中:1、内壳;2、电机;3、转轴;4、基板;5、固定块;6、固定装置;7、安装槽;8、第一滑轨;9、滑动块;10、调节把手;11、第二滑轨;12、固定板;13、弹性件;14、限位块;15、连接板。

具体实施方式

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