[发明专利]具有鳍和栅极结构的集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

器件鳍，形成在衬底上；

填充鳍，形成在所述衬底上并且设置在所述器件鳍之中，所述填充鳍包括第一介电材料层和沉积在所述第一介电材料层上的第二介电材料层，其中，所述第一介电材料层和所述第二介电材料层的组成彼此不同；以及

栅极堆叠件，形成在所述器件鳍和所述填充鳍上，

其中，所述填充鳍包括具有第一宽度的第一填充鳍和具有大于所述第一宽度的第二宽度的第二填充鳍；

所述第一填充鳍包括所述第一介电材料层并且没有所述第二介电材料层；以及

所述第二填充鳍包括所述第一介电材料层和所述第二介电材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述第一介电材料层包括高k介电材料；以及

所述第二介电材料层包括含碳材料。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中：

所述第一介电材料层选自金属氧化物、金属氮化物和它们的组合；以及

所述第二介电材料层包括碳和硅。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：

所述第一介电材料层包括氧化铪、氧化锆和氧化铝中的至少一种；以及

所述第二介电材料层包括碳氧化硅、碳氮氧化硅和碳氮化硅中的一种。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述衬底包括块状硅衬底。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中：

所述填充鳍还包括具有第三宽度的第三填充鳍，所述第三宽度大于所述第一宽度并且小于所述第二宽度；以及

所述第三填充鳍包括所述第一介电材料层并且没有所述第二介电材料层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中：

所述器件鳍在第一方向定向；

所述栅极堆叠件在与所述第一方向正交的第二方向定向；

所述第一填充鳍、所述第二填充鳍和所述第三填充鳍在所述第一方向定向；

所述填充鳍还包括在所述第二方向上定向的第四填充鳍。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中：

所述第四填充鳍具有大于所述第二宽度的第四宽度；以及

所述第四填充鳍包括所述第一介电材料层和所述第二介电材料层。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述第一介电材料层包括氧化铪；以及

所述第二介电材料层包括碳氧化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述栅极堆叠件包括栅极介电部件和设置在所述栅极介电部件上的栅电极；以及

所述栅极介电部件包括高k介电材料并且所述栅电极包括金属和金属合金中的一种。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，所述器件鳍包括选自硅、锗和硅锗的半导体材料。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，还包括：源极/漏极部件，所述源极/漏极部件形成在所述器件鳍的器件鳍上并且设置在所述栅极堆叠件的栅极堆叠件的两侧上，其中，所述器件鳍、所述栅极堆叠件和所述源极/漏极部件被配置为形成鳍式场效应晶体管。