[发明专利]一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法有效
| 申请号： | 201810571988.5 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108746448B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 吴景晖;姚力军;杜全国;雷孝吕;李红洋 | 申请（专利权）人： | 宁波创润新材料有限公司 |
| 主分类号： | B21J5/00 | 分类号： | B21J5/00;B21J1/06;C23C14/34;C22F1/18 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 严罗一 |
| 地址： | 315460 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 溅射 高纯 钛锭开坯 锻造 方法 | ||
1.一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、铸锭准备，对铸锭进行修磨；
步骤S2、对经所述步骤S1得到的所述铸锭进行第一次加热；
步骤S3、对经所述步骤S2加热后的所述铸锭进行开坯锻造得到坯料；
步骤S4、对经所述步骤S3得到的所述坯料进行降温；
步骤S5、对经所述步骤S4得到的所述坯料进行第二次加热；
步骤S6、对经所述步骤S5加热后的所述坯料进行第二次锻造得到二次坯料；
步骤S7、对经所述步骤S6得到的所述二次坯料进行第二次降温；
步骤S8、对经所述步骤S7得到的所述二次坯料进行第三次加热；
步骤S9、对经所述步骤S8加热后的所述二次坯料进行锻造成型；
其中，所述步骤S2中，所述第一次加热的条件为：从0℃或室温开始以一定速率加热至950℃，并保温一定时间；电炉方式加热；保护气为氩气；
其中，所述步骤S5中，所述第二次加热的条件为：从0℃或室温开始以一定速率加热至800℃，并保温一定时间；电炉方式加热；保护气为氩气；
其中，所述步骤S8中，所述第三次加热的条件为：从500℃～600℃开始以一定速率加热至700℃，并保温一定时间；电炉方式加热；保护气为氩气；
其中，所述步骤S3中，所述开坯锻造的条件为：2～3次墩粗拔长，锻造比为3～5，变形量为60％～80％；
其中，所述步骤S6中，所述第二次锻造的条件为：锻造比2～4，变形量为40％～59％；
其中，所述步骤S9中，使用模具对所述二次坯料进行锻造成型；
其中，在所述步骤S4中，对降温后的所述坯料进行修磨；和/或
在所述步骤S7中，对降温后的所述二次坯料进行修磨；
其中，在所述步骤S4和所述步骤S7中，对所述坯料进行降温的方法为空冷降温；
其中，在所述步骤S1中，分别使用机加工车床和打磨装置修磨所述铸锭。
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