[发明专利]一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法

说明书

本发明涉及一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法，包括以下步骤：步骤S1、铸锭准备；步骤S2、对经所述步骤S1得到的所述铸锭进行第一次加热；步骤S3、对经所述步骤S2加热后的所述铸锭进行开坯锻造得到坯料；步骤S4、对经所述步骤S3得到的所述坯料进行降温；步骤S5、对经所述步骤S4得到的所述坯料进行第二次加热；步骤S6、对经所述步骤S5加热后的所述坯料进行第二次锻造得到二次坯料；步骤S7、对经所述步骤S6得到的所述二次坯料进行第二次降温；步骤S8、对经所述步骤S7得到的所述二次坯料进行第三次加热；步骤S9、对经所述步骤S8得到的所述二次坯料进行锻造成型。其优点在于，高纯钛锭产品表面颗粒细腻均匀、无残留，符合靶材生产要求。

技术领域

本发明涉及金属锻造技术领域，尤其涉及一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法。

背景技术

传统的的锻造方式，为了保证钛以及钛合金锻件在室温和高温下具有良好的综合性能，通常都是在低于β转变温度以下，以中等应变速率进行锻造的。

现有技术锻造后的钛锭产品经车床精车加工后，宏观颗粒粗大，经正常钛靶生产的TMP工艺后，圈内标明的部分会残留在最终产品钛靶上，无法满足半导体用靶材的生产，导致产品批量报废。

因此，亟需一种能够通过锻造，使加工后的高纯钛锭的宏观和胃管组织满足半导体溅射靶材原料的需求的锻造工艺。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中的不足，提供一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案是：

一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、铸锭准备，对铸锭进行修磨；

步骤S2、对经所述步骤S1得到的所述铸锭进行第一次加热；

步骤S3、对经所述步骤S2加热后的所述铸锭进行开坯锻造得到坯料；

步骤S4、对经所述步骤S3得到的所述坯料进行降温；

步骤S5、对经所述步骤S4得到的所述坯料进行第二次加热；

步骤S6、对经所述步骤S5加热后的所述坯料进行第二次锻造得到二次坯料；

步骤S7、对经所述步骤S6得到的所述二次坯料进行第二次降温；

步骤S8、对经所述步骤S7得到的所述二次坯料进行第三次加热；

步骤S9、对经所述步骤S8加热后的所述二次坯料进行锻造成型。

优选地，所述第一次加热的保温温度大于所述第二次加热的保温温度，所述第二次加热的保温温度大于所述第三次加热的保温温度。

优选地，所述步骤S2中，所述第一次加热的条件为：以一定速率加热至900℃～1000℃，并保温一定时间；电炉方式加热；保护气为氩气。

优选地，所述步骤S2中，以一定速率加热至950℃进行保温。

优选的，所述步骤S2中，所述第一次加热为从0℃或室温开始加热。

优选地，所述步骤S5中，所述第二次加热的条件为：以一定速率加热至750℃～850℃，并保温一定时间；电炉方式加热；保护气为氩气。

优选地，所述步骤S5中，以一定速率加热至800℃进行保温。

优选地，所述步骤S5中，所述第二次加热为从0℃或室温开始加热。

优选地，所述步骤S8中，所述第三次加热的条件为：以一定速率加热至650℃～750℃，并保温一定时间；电炉方式加热；保护气为氩气。