[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构在审
| 申请号： | 201810575190.8 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN109585553A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;沙哈吉·B·摩尔;彭成毅;林佑明;游国丰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍式场效晶体管 源极/漏极 装置结构 掺杂区域 栅极结构 鳍片结构 金属硅化物层 包覆 基板 延伸 | ||
【权利要求书】：
1.一种鳍式场效晶体管装置结构，包括：
一鳍片结构，延伸于一基板之上；
一栅极结构，形成于该鳍片结构的一中间部分之上，其中该鳍片结构的该中间部分被该栅极结构所包覆；
一源极/漏极结构，相邻于该栅极结构，其中该源极/漏极结构包括一掺杂区域位于该源极/漏极结构的一外部分，且该掺杂区域包括镓；以及
一金属硅化物层，形成于该源极/漏极结构的该掺杂区域之上，其中该金属硅化物层直接接触该源极/漏极结构的该掺杂区域。
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