[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构

说明书

一种鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法被提供。此鳍式场效晶体管装置结构包括延伸于基板之上的鳍片结构，以及形成于此鳍片结构的中间部分之上的栅极结构。此鳍片结构的中间部分被上述栅极结构所包覆。此鳍式场效晶体管装置结构包括相邻于上述栅极结构的源极/漏极结构，且此源极/漏极结构包括位于源极/漏极结构的外部分的掺杂区域，且此掺杂区域包括镓。此鳍式场效晶体管装置结构包括形成于上述源极/漏极结构的掺杂区域上的金属硅化物层，且此金属硅化物层直接接触上述源极/漏极结构的掺杂区域。

技术领域

本发明实施例系有关于一种半导体结构，且特别有关于一种鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用中，例如个人电脑、行动电话、数位相机和其他电子设备。半导体装置通常通过以下方式而制造，包括在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层，使用微影工艺图案化上述各材料层，藉以在此半导体基板上形成电路组件及元件。通常在单一半导体晶片上制造许多集成电路，并且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以将各个晶粒单一化。上述各个晶粒通常分别地封装于，例如，多晶片模块中或其他类型的封装中。

随着半导体工业已经进入nm技术工艺节点，在追求更高的装置密度、更高的效能及更低的成本等方面，来自制造及设计问题的挑战已经导致三维设计的发展，例如，鳍式场效晶体管(fin field effect transistor,FinFET)。鳍式场效晶体管具有从基板延伸出来的薄的垂直“鳍片”(或鳍片结构)。鳍式场效晶体管的通道形成于此垂直鳍片之中。栅极位于鳍片之上。鳍式场效晶体管的优点可包括降低短通道效应与更高的电流流量。

虽然现有的鳍式场效晶体管装置及其制造方法已普遍足以达成预期的目标，然而却无法完全满足所有需求。

发明内容

本发明的一实施例提供一种鳍式场效晶体管装置结构，包括：鳍片结构，延伸于基板之上；栅极结构，形成于鳍片结构的中间部分之上，其中鳍片结构的中间部分被栅极结构所包覆；源极/漏极结构，相邻于栅极结构，其中源极/漏极结构包括掺杂区域位于源极/漏极结构的外部分，且掺杂区域包括镓；以及金属硅化物层，形成于源极/漏极结构的掺杂区域之上，其中金属硅化物层直接接触源极/漏极结构的掺杂区域。

本发明的另一实施例亦提供一种鳍式场效晶体管装置结构，包括：鳍片结构，延伸于基板之上；栅极结构，形成于鳍片结构的中间部分之上；源极/漏极结构，形成于栅极结构的一侧上，其中源极/漏极结构包括掺杂镓的掺杂区域；层间介电层，围绕源极/漏极结构，其中层间介电层被掺杂镓；金属硅化物层，形成于掺杂镓的掺杂区域之上；以及源极/漏极接触结构，形成于金属硅化物层之上。

本发明的又一实施例提供一种鳍式场效应晶体管装置结构的形成方法，包括：形成鳍片结构，其中鳍片结构延伸位于基板之上；形成栅极结构，其中栅极结构形成于鳍片结构的中间部分之上；形成源极/漏极结构于鳍片结构之上，其中源极/漏极结构相邻于栅极结构；掺杂源极/漏极结构的外部分，以形成掺杂区域，其中掺杂区域包括镓；形成金属硅化物层于掺杂区域之上；以及形成源极/漏极接触结构于金属硅化物层之上。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式做完整揭露。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A到图1J绘示依据本发明的一些实施例的形成鳍式场效晶体管装置结构的各个工艺阶段的立体图。

图2A到2E绘示依据本发明的一些实施例的鳍式场效晶体管装置结构在形成如图1J所绘示的结构之后的各个工艺阶段的剖面图。

图2E’绘示依据本发明的一些实施例的鳍式场效晶体管装置结构的剖面图。

图3A到图3E绘示依据本发明的一些实施例的鳍式场效晶体管装置结构在形成如图1J所绘示的结构之后的各个工艺阶段的剖面图。