[发明专利]双向开关电路以及开关装置

权利要求书

1.一种双向开关电路，具备：

FET群，是包含串联连接的L级的FET的FET群，对所述FET群的一端与另一端之间的双向的信号的导通进行控制，其中，L为5以上的整数；以及

多个电容元件，

所述FET群包含的L级的FET分别具备：

漏极电极，在形成有双向开关电路的基板的主面的俯视下，向与该主面平行的第一方向延伸；以及

源极电极，在形成有双向开关电路的基板的主面的俯视下，向所述第一方向的相反方向延伸，

所述FET群包含最靠近所述一端的第一FET和最靠近所述另一端的第二FET，

所述多个电容元件具备：

第一电容元件组，包含从所述第一FET起依次与各FET并联连接的M级的电容元件，其中，M为2以上且小于L的整数；以及

第二电容元件组，包含从所述第二FET起依次与各FET并联连接的N级的电容元件，其中，N为2以上且L-M以下的整数，

所述FET群具备：

第一FET组，与所述第一电容元件组对应；以及

第二FET组，与所述第二电容元件组对应，

关于所述源极电极的与所述第一方向平行的长度，在所述第一FET组中，越靠近所述一端越长，在所述第二FET组中，越靠近所述另一端越长，

关于所述漏极电极的与所述第一方向平行的长度，在所述FET各自中相同，

所述漏极电极和所述源极电极具有沿着与所述主面平行且与所述第一方向正交的第二方向重叠的区域，

关于所述重叠的区域的与所述第一方向平行的长度，在所述第一FET组中，越靠近所述一端越长，在所述第二FET组中，越靠近所述另一端越长，

所述电容元件由所述漏极电极和所述源极电极的所述重叠的区域形成。

2.根据权利要求1所述的双向开关电路，其中，

所述第一电容元件组包含的电容元件的级数与所述第二电容元件组包含的电容元件的级数满足M＝N，

所述第一电容元件组中的从所述一端侧起数第k个电容元件的电容值与所述第二电容元件组中的从所述另一端侧起数第k个电容元件的电容值相等，其中，k为1以上且M以下的至少一个整数。

3.根据权利要求1所述的双向开关电路，其中，

所述第一电容元件组包含的电容元件的级数与所述第二电容元件组包含的电容元件的级数满足M＝N，

所述第一电容元件组中的从所述一端侧起数第k个电容元件的电容值与所述第二电容元件组中的从所述另一端侧起数第k个电容元件的电容值相等，其中，k为1以上且M以下的任意的整数。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的双向开关电路，其中，

所述FET群包含的FET的级数与所述第一电容元件组以及所述第二电容元件组包含的电容元件的级数满足L＞M+N。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的双向开关电路，其中，

所述第一电容元件组包含的电容元件的级数与所述第二电容元件组包含的电容元件的级数满足M＝N，

所述第一FET组中的从所述一端侧起数第k个FET的所述重叠的区域的与所述第一方向平行的长度等于所述第二FET组中的从所述另一端侧起数第k个FET的所述重叠的区域的与所述第一方向平行的长度，其中，k为1以上且M以下的任意的整数。

6.根据权利要求5所述的双向开关电路，其中，

所述FET群还具备：第三FET组，连接在所述第一FET组与所述第二FET组之间，

所述第三FET组包含的FET不具有所述重叠的区域。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的双向开关电路，其中，

在所述第一电容元件组中，最靠近所述一端的电容元件的电容值最大，在所述第二电容元件组中，最靠近所述另一端的电容元件的电容值最大。

8.一种开关装置，具备：

三个输入端子；

三个输出端子；以及

九个路径，通过权利要求1至7中的任一项所述的双向开关电路，将所述三个输入端子中的一个与所述三个输出端子中的一个进行电连接。