[发明专利]双向开关电路以及开关装置

说明书

本发明提供一种双向开关电路，具备：FET群，包含串联连接的L级(L为3以上的整数)的FET，控制FET群的一端与另一端之间的双向的信号的导通；以及多个电容元件，FET群包含最靠近一端的第一FET和最靠近另一端的第二FET，多个电容元件具备：第一电容元件组，包含从第一FET起依次与各FET并联连接的M级(M为1以上且小于L的整数)的电容元件；以及第二电容元件组，包含从第二FET起依次与各FET并联连接的N级(N为1以上且L‑M以下的整数)的电容元件，在第一电容元件组包含的电容元件中，越是靠近一端的电容元件，其电容值越大，在第二电容元件组包含的电容元件中，越是靠近另一端的电容元件，其电容值越大。

技术领域

本发明涉及双向开关电路以及开关装置。

背景技术

在搭载于便携式电话等移动体通信机的开关电路中，例如使用场效应晶体管(FET：Field-Effect Transistor)。在由FET构成的开关电路中，为了应对比较高的输入电压，已知有通过将多个FET进行多级连接而使开关电路的耐电压提高的结构。在该结构中，在各FET的源极-漏极间施加根据进行了多级连接的FET的级数进行了分压的电压，因此能够得到与该FET的级数相应的输入允许电压。

在此，因为各FET包含寄生电容，所以由于该寄生电容的影响，供给到输入端子的信号的电压不被均等地分压，产生施加在各FET的源极-漏极间的电压从输出端子侧到输入端子侧逐渐变大的现象。在该情况下，有可能在与输入端子比较近的FET的源极-漏极间施加超过耐电压的电压而使该FET被击穿。因此，为了防止开关电路中的由输入电压的增大造成的FET的击穿，优选消除源极-漏极间电压的不均匀。

例如，在专利文献1中公开了如下的结构，即，通过追加设置横跨从最靠近一个端子的FET起连续的几个FET而并联连接的电容元件，从而谋求各FET的源极-漏极间电压的均等的分配。在该结构中，最靠近一个端子的FET的源极(即，基于输入信号的电压振幅比较大的端子)与各FET的漏极直接连接，由此各FET的漏极电压被拉高，可谋求源极-漏极间电压的不均匀的消除。此外，在该结构中，从另一个端子也同样地追加设置横跨连续的几个FET而并联连接的电容元件。由此，无论在从一个或另一个中的哪一个端子供给信号的情况下，都能够谋求源极-漏极间电压的不均匀的消除。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第9106227号说明书

根据专利文献1公开的结构，追加设置的电容元件从最靠近一个或另一个端子的FET起进行连接，因此存在该电容元件的电容值变得比较大、开关电路的断开时的插入损耗、隔离度等特性劣化的问题。

发明内容

发明要解决的课题

本发明是鉴于这样的情形而完成的，其目的在于，提供一种在抑制特性劣化的同时提高耐电压的双向开关电路。

用于解决课题的技术方案

为了达成这样的目的，本发明的一个侧面涉及的双向开关电路具备：FET群，是包含串联连接的L级(L为3以上的整数)的FET的FET群，对FET群的一端与另一端之间的双向的信号的导通进行控制；以及多个电容元件，FET群包含最靠近一端的第一FET和最靠近另一端的第二FET，多个电容元件具备：第一电容元件组，包含从第一FET起依次与各FET并联连接的M级(M为1以上且小于L的整数)的电容元件；以及第二电容元件组，包含从第二FET起依次与各FET并联连接的N级(N为1以上且L-M以下的整数)的电容元件，在第一电容元件组包含的电容元件之中，越是靠近一端的电容元件，其电容值越大，在第二电容元件组包含的电容元件之中，越是靠近另一端的电容元件，其电容值越大。

发明效果

根据本发明，能够提供一种在抑制特性劣化的同时提高耐电压的双向开关电路。

附图说明