[发明专利]一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品及其制备方法

权利要求书

1.一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：于160-180℃、145-155MPa的条件下将镶样粉镶嵌于待处理样品，然后去除镶嵌所述镶样粉后的样品的表面应变层，以碳膜作为导电膜喷涂导电层；

优选地，镶嵌是于170℃、150MPa的条件下进行4-5min；

优选地，所述镶样粉包括碳导电粉。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除表面应变层之前，还包括将镶嵌所述镶样粉后的所述样品进行冷却；

优选地，冷却时间与镶嵌时间的比例为2-3:4-5。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除表面应变层包括：使用第一砂纸，第一次磨抛；使用第二砂纸，第二次磨抛；使用呢绒抛光布以及胶体SiO₂颗粒第三次磨抛；

优选地，所述第一砂纸为220#SiC砂纸，所述第二砂纸为600#SiC砂纸；所述SiO₂颗粒的粒径为0.03-0.05μm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，三次磨抛的压力依次分别为25-30N、30-35N以及20-25N。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，三次磨抛的时间依次分别为3-4min、11-12min以及0.5-1min。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，第一次磨抛过程中还包括用水进行润滑，第二次磨抛过程中还包括用金刚石润滑液进行润滑。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，喷涂导电层之前，还包括清洗去除表面应变层后的所述样品；

优选地，清洗试剂包括去离子水和无水乙醇。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，喷涂导电层的时间为25-35s。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括切割所述待处理样品，切割包括：以氧化锆涂层压向基体的方向作为进刀方向，以0.025-0.05mm/s的切割速率进行切割；

优选地，切割后的所述待处理样品的尺寸为(8-12)mm×(3-5)mm×(3-5)mm。

10.一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品，其特征在于，所述柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品由如权利要求1-9任一所述的制备方法制备而得。