[发明专利]一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品及其制备方法

说明书

本发明涉及一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品及其制备方法，属于材料领域。制备方法包括：于160‑180℃、145‑155MPa的条件下将镶样粉镶嵌于待处理样品，然后去除镶嵌镶样粉后的样品的表面应变层，以碳膜作为导电膜喷涂导电层。上述制备方法简单、快捷、可靠，可有效保证样品平整不碎裂、与基体结合度高、导电且能有效消除应变层，从而实现较高的电子背散射衍射标定率。制备而得的柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品平整不碎裂、与基体结合度高、导电且无表面应变层。

技术领域

本发明涉及材料领域，且特别涉及一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品及其制备方法。

背景技术

氧化锆涂层作为一种防护涂层，沉积在耐高温金属或超合金的表面，对于基底材料起到隔热作用，降低基底温度，使得用其制成的器件(如发动机涡轮叶片)能在高温下运行，并且可以提高器件(发动机等)热效率达到60％以上。使用EB-PVD(电子束物理气相沉积)或PS-PVD(等离子喷涂-物理气相沉积)工艺制备的氧化锆涂层具备柱状晶结构，柱状结构利于提高涂层的抗热冲击性能。

近年其沉积工艺、沉积机理成为该领域的研究热点，陶瓷由于化学惰性，难以被酸侵蚀，晶粒难以显现。且现有的消除应变层的方法存在电解效果不稳定或抛光时间过长或制样设备昂贵等问题。同时，柱状晶氧化锆涂层由于其具有脆、柱状晶间有孔隙等特征，在制样过程中易出现涂层从基体剥落、碎裂，造成涂层不平整不连续，无法用于EBSD测试或标定率低、表征结果无效。

因此，提出一种快捷、可靠的氧化锆涂层EBSD制样方法具有十分重要的意义。

发明内容

本发明的目的之一包括提供一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品的制备方法，该方法简单、快捷、可靠，可有效保证样品平整不碎裂、与基体结合度高、导电且能有效消除应变层，从而实现较高的电子背散射衍射标定率。

本发明的目的之二包括提供一种由上述制备方法制备而得的柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品，该样品平整不碎裂、与基体结合度高、导电且无表面应变层。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的：

本发明提出一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品的制备方法，包括以下步骤：于160-180℃、145-155MPa的条件下将镶样粉镶嵌于待处理样品，然后去除镶嵌镶样粉后的样品的表面应变层，以碳膜作为导电膜喷涂导电层。

优选地，镶嵌是于170℃、150MPa的条件下进行4-5min。

优选地，镶样粉包括碳导电粉。

本发明还提出一种由上述制备方法制备而得的柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品。

本发明较佳实施例提供的柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品及其制备方法的有益效果包括：

本发明较佳实施例中提供的柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品的制备方法简单、快捷、可靠，可有效保证样品平整不碎裂、与基体结合度高、导电且能有效消除应变层，从而实现较高的电子背散射衍射标定率。由其制备而得的样品平整不碎裂、与基体结合度高、导电且无表面应变层。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，以下将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为实施例中氧化锆涂层单元体切割示意图；

图2为实施例中氧化锆涂层样品磨抛方向示意图；

图3为试验例中实施例1的氧化锆涂层样品EBSD取向成像图。

具体实施方式