[发明专利]一种超薄氮化硼纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种超薄氮化硼纳米片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(a) 前驱体的配置

以三聚氰胺为氮源，以硼酸为硼源，氮源与硼源的摩尔比为1:1～10:1；先将三聚氰胺粉末在加热、搅拌条件下完全溶解于去离子水中，再加入硼酸粉末，搅拌至反应完全后，得到前驱体溶液；

(b) 离心处理

将前驱体溶液冷却至室温后得到悬浊液，经离心处理，回收所得白色沉淀，干燥后得到前驱体粉末；

(c) 煅烧处理

将前驱体粉末在还原气氛下进行预煅烧，再升温后进行二次煅烧；自然冷却至室温，得到超薄氮化硼纳米片。

2.根据权利要求1所述的一种超薄氮化硼纳米片的制备方法，其特征在于：所述还原气氛为碳气氛、一氧化碳气氛、氢气氛、氨气氛、氮气氛、氩气氛中的一种，或它们的任意组合。

3.根据权利要求1所述的一种超薄氮化硼纳米片的制备方法，其特征在于：悬浊液离心处理的条件为转速3000～15000转/分钟，处理时间为5～30min。

4.根据权利要求1所述的一种超薄氮化硼纳米片的制备方法，其特征在于：所述煅烧处理的条件为：预煅烧温度为300～700℃，预煅烧时间为0.5～5h；升温速度为3～10℃/min；二次煅烧温度为800～1200℃，煅烧时间为1～6h。