[发明专利]方便单层正胶剥离的金属图形加工方法

说明书

本发明公开一种方便正胶剥离的金属图形加工方法，有在基片上匀正胶、前烘、曝光、显影、制备金属层及剥离步骤，所述曝光与显影之间对光刻胶表面加热处理0.5~30分钟，使光刻胶表面与底面温差为5~20℃。相对高温的上层光刻胶具有较低的显影液溶解速度，使得显影后胶条表现出如同负胶而产生的上宽下窄的倒梯形结构，金属会在胶边缘的位置断开，剥离溶剂容易穿过裂缝溶解光刻胶，使得胶上金属脱离，实现金属剥离。解决了负胶易残留及双层正胶成本高的问题，可提高剥离后基片表面的洁净度，降低金属图形制作成本。

技术领域

本发明涉及一种半导体加工工艺，尤其是一种可降低制作成本、无残留、方便单层正胶剥离的金属图形加工方法。

背景技术

半导体加工工艺中常涉及金属图形加工，即在基片上制作金属图形。现有制作方法的基本步骤是在基片上均匀涂胶，经过对基片前烘、曝光后形成光刻胶层，经显影后形成具有对应图形的光刻胶掩膜，之后在光刻胶掩膜上蒸镀或者溅射等制备金属层，再用溶剂剥离光刻胶以及光刻胶上的金属层，从而得到金属图形。亦有在基片前烘前对胶层进行低温烘烤及浸泡溶剂等处理，在曝光后对光刻胶进行后烘、泛曝光再显影等。无论工艺方法如何，所形成的光刻胶图形的侧壁形状直接影响剥离，进而直接影响制品的质量及成本。以往所用光刻胶有如下几种：

1. 正胶。正胶可以用于薄金属剥离，但光刻胶图形侧壁形状比较陡直而且上窄下宽，会与沉积的金属连成一片而没有断裂口，剥离溶剂难以穿过金属溶解光刻胶，金属难以剥离；

2. 负胶。负胶光刻胶图形侧壁形状为倒梯形，使得蒸镀或者溅射的金属在光刻胶的台阶处分层，剥离溶剂能够通过裂缝位置溶解光刻胶，使得光刻胶与上层金属脱离，易于金属剥离。但是负胶粘度大难以去除，即使去胶后表面也容易存在残留，影响芯片参数。尤其是在栅结构的下面，轻微的污染会引起严重的异常，因此，负胶不适用于在晶圆表面洁净度要求高的工艺；

3. 双层胶（底层胶以一定速率溶于显影液，上层胶为普通正胶）。利用底层胶可以在显影液中快速溶解的特性实现底层胶缺口，从而实现便于金属剥离的结构。但双层胶中的底层胶往往价格高昂，大幅提升制造成本。

发明内容

本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种可降低制作成本、无残留、方便单层正胶剥离的金属图形加工方法。

本发明的技术解决方案是：一种方便正胶剥离的金属图形加工方法，有在基片上匀正胶、前烘、曝光、显影、制备金属层及剥离步骤，其特征在于：所述曝光与显影之间对光刻胶表面加热处理0.5~30分钟，使光刻胶表面与底面温差为5~20℃。

所述加热处理是用红外加热灯管烘烤光刻胶表面。

所述加热处理是用均匀热风吹向光刻胶表面。

加热处理的同时对基片底部进行降温处理。

本发明是对曝光后的单层正胶表面加热处理，在光刻胶上层和下层之间形成温度差。相对高温的上层光刻胶具有较低的显影液溶解速度，使得显影后胶条表现出如同负胶而产生的上宽下窄的倒梯形结构，金属会在胶边缘的位置断开，剥离溶剂容易穿过裂缝溶解光刻胶，使得胶上金属脱离，实现金属剥离。解决了负胶易残留及双层正胶成本高的问题，可提高剥离后基片表面的洁净度，降低金属图形制作成本。

附图说明

图1是本发明实施例各流程光刻胶侧面结构示意图。

图2是本发明实施例1显影后光刻胶的侧面图片。

图3是本发明实施例4显影后光刻胶的侧面图片。

具体实施方式

实施例1：