[发明专利]集成电路器件及其存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器，包括：

存储器单元，所述存储器单元包括鳍式场效应晶体管，所述鳍式场效应晶体管设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方，其中，所述鳍式场效应晶体管包括掺杂有第一掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂的第一鳍结构和第二类型掺杂剂的第一源极/漏极部件；

基于鳍的阱带，设置在所述第一类型掺杂剂的所述掺杂区上方，所述存储器单元位于所述基于鳍的阱带之间，其中，所述基于鳍的阱带包括掺杂有第二掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂的第二鳍结构和第一类型掺杂剂的第二源极/漏极部件，其中，所述第二掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度，并且所述基于鳍的阱带将所述掺杂区连接至电压。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第二掺杂剂浓度比所述第一掺杂剂浓度大至少三倍。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一类型掺杂剂是p型掺杂剂，并且所述第二类型掺杂剂是n型掺杂剂。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述第一类型掺杂剂是n型掺杂剂，并且所述第二类型掺杂剂是p型掺杂剂。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述掺杂区具有第三掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂，其中，所述第三掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度且小于所述第二掺杂剂浓度。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中，

所述鳍式场效应晶体管包括横越所述第一鳍结构的第一栅极结构，从而使得所述第一栅极结构设置在所述第一源极/漏极部件之间；以及

所述基于鳍的阱带包括横越所述第二鳍结构的第二栅极结构，从而使得所述第二栅极结构设置在所述二源极/漏极部件之间。

7.根据权利要求1所述的存储器，还包括多层互连结构，其中，所述多层互连结构包括：

第一器件级接触件，设置在所述第一源极/漏极部件中的至少一个上；

第二器件级接触件，设置在所述第二源极/漏极部件中的至少一个上；

第一通孔，设置在所述第一器件级接触件上；

第二通孔，设置在所述第二器件级接触件上；以及

第一金属线，其中，所述第一通孔将所述第一源极/漏极部件中的至少一个电连接至所述第一金属线，并且所述第二通孔将所述第二源极/漏极部件中的至少一个电连接至所述第一金属线。

8.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述鳍式场效应晶体管是第一鳍式场效应晶体管，所述基于鳍的阱带是第一基于鳍的阱带，所述掺杂区是第一掺杂区，并且所述电压是第一电压，所述存储器还包括：

第二鳍式场效应晶体管，设置在所述第二类型掺杂剂的第二掺杂区上方，其中，所述第二鳍式场效应晶体管包括掺杂有第三掺杂剂浓度的所述第二类型掺杂剂的第三鳍结构和所述第一类型掺杂剂的第三源极/漏极部件；以及

第二基于鳍的阱带，设置在所述第二掺杂区上方，其中，所述第二基于鳍的阱带包括掺杂有第四掺杂剂浓度的所述第二类型掺杂剂的第四鳍结构和所述第二类型掺杂剂的第四源极/漏极部件，其中，所述第四掺杂剂浓度大于所述第三掺杂剂浓度，并且所述第二基于鳍的阱带将所述第二掺杂区连接至第二电压。

9.根据权利要求8所述的存储器，其中，所述第一类型掺杂剂是p型掺杂剂，并且所述第二类型掺杂剂是n型掺杂剂。

10.根据权利要求8所述的存储器，其中，所述第四掺杂剂浓度比所述第三掺杂剂浓度大至少三倍。